طراحی یک تقویتکننده کم نویز یکپارچه در باند Ka با استفاده از فناوری µm InGaAs pHEMT 15/0
Publish place: Journal of Applied Electeromagnetics، Vol: 8، Issue: 2
Publish Year: 1399
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 295
This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_ELEMAG-8-2_009
تاریخ نمایه سازی: 21 دی 1399
Abstract:
در این مقاله، یک تقویتکننده کم نویز در باند Ka به‌صورت یکپارچه با استفاده از فناوری µm InGaAs pHEMT 15/0 برای کاربرد در گیرندههای ماهوارهای ارائه میگردد. این تقویتکننده که متشکل از سه‌طبقه میباشد پس از طراحی و شبیهسازی، جانمایی شده و به‌صورت تمام موج شبیهسازی شده است. حداکثر عدد نویز تقویتکننده در بازه فرکانسی GHz 32 تا GHz 37 برابر با dB 8/1 و محدوده تغییرات بهره برابر dB 4/0 ± 7/20 به‌دست آمده است. میزان تلفات بازگشتی در ورودی و خروجی نیز بهتر از dB 16 و نقطه فشردگی بهره dB 1 در خروجی برابر با dBm 13 حاصل شده است. مساحت کل اشغال‌شده طرح نهایی برابر با mm2 3/1 × 6/1 میباشد. تقویتکنندههای طبقات مختلف از نوع سورس مشترک با پیکربندی source degenerated بوده و تلاش شده است تا حد امکان تطبیق امپدانس با استفاده از خط انتقال بجای سلف پیادهسازی شود. پایداری مدار نیز در بازه فرکانسی وسیع تاGHz 45 برآورده شده که برای بهبود آن از یک مقاومت و مدار تشدید موازی در مسیر تغذیه کمک گرفته شده است.
Keywords:
Authors
امیر بینقی
دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه حکیم سبزواری
مجید بقائی نژاد
دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه حکیم سبزواری
مرتضی رضائی
دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه حکیم سبزواری
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :