بهبود عملکرد دیوداثرمیدانی به منظور کاربرد درتکنولوژی نانو

چکیده: یکی از مشکلات اصلی دیودهای اثر میدانی(FED)،  افزایش جریان خاموشی ان با کاهش طول کانال می باشد. از این رو در این مقاله ساختار جدیدی ارائه شده است که با کاهش سطح اشتراک کانال با نواحی سورس و درین و بدون نیاز به مخازن ها میزان تزریق حامل های اضافی به کانال کاهش یافته و کنترل گیت  بر کانال افزایش می یابد. با تکنیک به کار رفته و بدون نیاز به مخازن ها حجم نواحی سورس و درین نسبت به ساختار دیوداثرمیدانی با اتصال جانبی(S-FED)  افزایش یافته و موجب بهبود جریان روشن می شود از این رو با مقایسه ساختار ارائه شده و S-FED نشان داده می شود که پارامترهای مهمی همچون  جریان روشن، نسبت جریان روشن به خاموش ، تاخیر گیت و حاصلضرب انرژی درتاخیرگیت  بهبود بخشیده شده است و لذا ساختار ارائه شده می تواند جایگزین مناسبی برای ساختار های متداول باشد.

Keywords:

Field Effect Diode (FED) , Side contacted FED (S-FED) , Ion/Ioff Ratio , Gate Delay , Energy-delay product (EDP). , دیوداثرمیدانی(FED) , دیوداثرمیدانی با اتصال جانبی(S-FED) , نسبت جریان روشن به خاموش( Ion/Ioff) , تاخیرگیت , حاصلضرب انرژی درتاخیرگیت.