طراحی حافظه مغناطیسی توان پایین در حضور تغییرات فرایند ساخت
عنوان مقاله: طراحی حافظه مغناطیسی توان پایین در حضور تغییرات فرایند ساخت
شناسه ملی مقاله: JR_JIAE-18-1_007
منتشر شده در در سال 1399
شناسه ملی مقاله: JR_JIAE-18-1_007
منتشر شده در در سال 1399
مشخصات نویسندگان مقاله:
علیرضا حسن زاده - Shahid Beheshti University
سهیلا قصابی - Shahid Beheshti University
خلاصه مقاله:
علیرضا حسن زاده - Shahid Beheshti University
سهیلا قصابی - Shahid Beheshti University
چکیده – با پیشرفت تکنولوژی و کوچک شدن اندازهی ترانزیستورها به ویژه در تکنولوژیهای کمتر از 90 نانومتر، یکی از بزرگترین مشکلات مدارهای CMOS متعارف مصرف توان ایستای بالا به خاطر افزایش نمایی جریان نشتی ترانزیستورها است. افزارههای spintronic از جمله پیوند تونل مغناطیسی ((magnetic tunnel junction MTJ به علت مصرف توان ایستای پایین, غیرفرار بودن, سازگاری با ترانزیستورهای CMOS و امکان ساخت در چگالیهای بالا یکی از گزینههای جایگزین برای طراحی مدارهای ترکیبی MTJ/CMOS هستند. در سالهای اخیر چندین حافظه مغناطیسی با استفاده از MTJ طراحی و ارائه شده است. این حافظه ها از مشکلاتی مانند مصرف توان بالا و سرعت پایین رنج میبرند. در این مقاله روش نوشتن جدیدی برای کاهش توان پویای مصرفی مدار و اصلاحاتی برای کاهش توان ایستا در مدار مورد استفاده برای نوشتن در MTJ ها ارایه شده است. نتایج شبیهسازیها نشان میدهد که حافظه پیشنهادی نسبت به حافظه های پیشین تا 97 درصد توان ایستا و تا 71 درصد توان پویای کمتری مصرف میکند.
کلمات کلیدی: Low power, magnetic memory, magnetic tunnel junction, spintronic, process variations., توان پایین, حافظه مغناطیسی, پیوند تونل مغناطیسی, spintronic, تغییرات فرایند ساخت.
صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/1157324/