اثر آلایندة Si روی خواص الکترونی و اپتیکی نانو ساختارهای گالیم آرسنید
Publish place: The Physics Society Of Iran، Vol: 20، Issue: 3
Publish Year: 1399
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 317
This Paper With 13 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_PSI-20-3_015
تاریخ نمایه سازی: 3 اسفند 1399
Abstract:
در سال‌های اخیر با پیشرفت‌‌های به دست آمده در رشد مواد، علاقة قابل ملاحظه‌ای در زمینة نیم‌رساناهای مرکب گروه (III-V) به ویژه GaAs به وجود آمده است. سیلیکون مناسب‌ترین ماده برای آلاییدگی نوع n گالیم آرسنید است. در این پژوهش خواص الکترونی نانوبلورهای Ga6As4H10 و Ga6As3SiH10، با استفاده از روش شبه پتانسیل و فرمول‌بندی نظریة تابعی چگالی (DFT) و با تقریب LDA در بستة نرم‌افزاری کوانتوم اسپرسو مورد بررسی قرار میگیرند. نتایج حاصل از محاسبات نشان میدهند که هرچه اندازة نانوبلور بزرگ‌تر شود مقدار گاف نواری کاهش می‌یابد. با جایگزینی اتم ناخالصی Si به‌جای اتم As در نانوبلور Ga6As4H10، گاف انرژی نسبت به حالت غیر آلاییده کوچک‌تر و تراز فرمی به لبۀنوار رسانش نزدیک میشود که در این حالت نانوبلور Ga6As3SiH10یک نیم‌رسانای نوع n خواهد بود. پربند چگالی بار الکتریکی در اطراف اتم‌ها نشان دهندة پیوند یونی- کووالانسی بین اتم‌های Si و Ga است. در این پژوهش به بررسی ویژگی‌های اپتیکی نانوبلورهای گالیم آرسنید نیز پرداخته شده که محاسبات با تقریب تک ذره‌ای انجام شده‌اند. همچنین، از نرم‌افزار گوسین برای به دست آوردن طیف اپتیکی نانوبلورها استفاده شده است. محاسبات طیف اپتیکی برای نانوبلورهای گالیم آرسنید انتقال به آبی را نشان میدهند.
Keywords:
Authors
محبوبه بیگمرادی
گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه سیستان و بلوچستان، زاهدان
حیدرعلی شفیعی گل
گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه سیستان و بلوچستان، زاهدان
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :