محبوبه بیگمرادی - گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه سیستان و بلوچستان، زاهدان
حیدرعلی شفیعی گل - گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه سیستان و بلوچستان، زاهدان

در سال‌های اخیر با پیشرفت­‌‌های به دست آمده در رشد مواد، علاقة قابل ملاحظه‌ای در زمینة‌‌‌‌‌‌ نیم‌رساناهای مرکب گروه (III-V) به ویژه GaAs به وجود آمده است. سیلیکون مناسب‌ترین ماده برای آلاییدگی نوع n گالیم آرسنید است. در این پژوهش خواص الکترونی نانوبلورهای Ga6As4H10 و Ga6As3SiH10، با استفاده از روش شبه پتانسیل و فرمول‌بندی نظریة ‌تابعی چگالی (DFT) و با تقریب LDA در بستة نرم‌افزاری کوانتوم اسپرسو مورد بررسی قرار می­گیرند. نتایج حاصل از محاسبات نشان می­دهند که هرچه اندازة نانوبلور بزرگ‌تر شود مقدار گاف نواری کاهش می‌یابد. با جایگزینی اتم ناخالصی Si به‌جای اتم As در نانوبلور Ga6As4H10، گاف انرژی نسبت به حالت غیر آلاییده کوچک‌تر و تراز فرمی به لبۀنوار رسانش نزدیک می­شود که در این حالت نانوبلور  Ga6As3SiH10یک نیم‌رسانای نوع n خواهد بود. پربند چگالی بار الکتریکی در اطراف اتم‌ها نشان دهندة پیوند یونی- کووالانسی بین اتم‌های Si و Ga است. در این پژوهش به بررسی ویژگی‌های اپتیکی نانوبلورهای گالیم آرسنید نیز پرداخته شده که محاسبات با تقریب تک ذره‌ای انجام شده‌اند. همچنین، از نرم‌افزار گوسین برای به‌ دست آوردن طیف اپتیکی نانوبلورها استفاده شده است. محاسبات طیف اپتیکی برای نانوبلورهای گالیم آرسنید انتقال به آبی را نشان می‌دهند.

ناخالصی نوع n, نانوبلور گالیم آرسنید, نظریة تابعی چگالی, کوانتوم اسپرسو, خواص الکترونی, تقریب چگالی موضعی, انرژی جذب