عبدالکریم جعفرخراطی - خوزستان، دزفول گروه مهندسی برق دانشگاه علم و صنعت ایران، تهران، ایران

کاشت بون یکی از مهمترین روش نفوذ ناخالصی به درون ويفر در صنایع قطعه سازی الکترونیک و میکروالکترونیک است و نسبت به روش دیگر (نفوذ) مزایای بسیاری را دارد و کاشت یون فرآیندی در مهندسی است که در آن یون های برخی مواد را می توان در ماده ای دیگر کاشت و ویژگی های فیزیکی آن ماده را تغییر داد و یک فناوری قوی و دقیق در ساخت آی سی های مهم و پیشرفته است. در این مقاله یک ساختار جدیدی برای ترانزیستورهای دو قطبی ارائه می شود که ناحیه امیتر و بیس با استفاده از کاشت یونی آرسنیک ایجاد می شوند. شبیه سازی ها نشان می دهد ترانزیستور ارائه شده می تواند جایگزین بسیار خوبی برای ترانزیستورهای دوقطبی متداول باشد.

ترانزیستور دوقطبی - کاشت یون - نفوذ