مدل سازی و تحلیل متغیرحالت یک مقاومت حافظه دار برای ورودی های شیب و پله واحد
Publish place: National conference on electrical and electronics industry
Publish Year: 1399
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 681
This Paper With 8 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
EEICONF01_057
تاریخ نمایه سازی: 3 اسفند 1399
Abstract:
مقاومت حافظه دار (ممریستور) عنصری الکتریکی است که منحنی مشخصه جریان و ولتاژ آن غیر خطی و دارای حالت پس ماند است. برای مقاومت حافظه دار در این مقاله از مدل ریاضی - فیزیکی VTEAM استفاده شده است. بخش فیزیکی مدل بکار رفته در این مقاله شامل یک لایه ورقه نازک به ضخامت ده نانو متر از ماده دی اکسید تیتانیوم می باشد. این ضخامت را طول مقاومت حافظه دار می نامیم. متغير حالت در مقاومت حافظه دار، طول یک بعدی فیزیکی ناحیه با مقاومت کم را نشان می دهد که به ولتاژ ورودی وابسته است و با واحد نانومتر سنجیده می شود. نوآوری این مقاله، مدل سازی و تحلیل متغير حالت مقاومت حافظه دار برای ورودی های شیب و پله واحد با پیاده سازی در محیط متلب /سیمولینک است. از ولتاژهای ورودی شیب و پله واحد تا دامنه ولتاژ یک ولت و زمان شبیه سازی یک ثانیه با تابع پنجره ثابت، درمحیط شبیه سازی متلب اسیمولینک استفاده شده است. مشاهده می شود که به ازاء ورودی شیب واحد، متغير حالت به فرم هموگرافیک تغییر می کند و سرعت تغییرات زمانی متغیرحالت برای ورودی شيب واحد چهار برابر ورودی پله واحد می باشد.
Keywords:
Authors
نعمت اله مسلمی دینه سری
دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی برق، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه آزاد اسلامی واحد اسلامشهر
احمد اتقیایی
عضو هیات علمی گروه برق، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه آزاد اسلامی واحد اسلامشهر
حسین رضایوسف وند
عضو هیات علمی گروه برق، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه آزاد اسلامی واحد اسلامشهر