Design and Simulation of Ternary Inverter Gate based on NFET
Publish place: Fifth International Conference on Electrical Engineering, Computer Science and Information Technology
Publish Year: 1399
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: English
View: 201
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ECICONFE05_004
تاریخ نمایه سازی: 6 اسفند 1399
Abstract:
In this paper an efficient ternary inverter gate is simulated. The main part of this design is a nanowire FET(NFET) and there are three separated gates on that oxide. By using this design, all three parts of ternary inverter include standard ternary inverter (STI), negative ternary inverter(NTI), and positive ternary inverter (PTI) are implemented by one circuit and without hardware change. The type of inverter function can be specified by the control gate voltage level. Self-consistent Schrodinger-Poisson equations is used to simulate the device. The simulation results indicate that the noise margins have improved a lot compared to previous designs.
Keywords:
Authors
Ashkan Horri
Assistant Professor Department of Electrical Engineering, Arak Branch, Islamic Azad University, Arak, Iran.