نیوشا موچانی - دانشجوی کارشناسی ارشد، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه تربیت مدرس، تهران، ایران
امین یوردخانی - هیئت علمی، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه تربیت مدرس، تهران، ایران
رضا پورصالحی - هیئت علمی، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه تربیت مدرس، تهران، ایران

در این پژوهش لایه های نازک هماتیت آلایش یافته با 1، 2، 4 و 6 درصد اتمی عنصر زیرکونیم به روش رسوب گذاری از فاز مایع در دمای 06˚C سنتز و سپس به وسیله ی شعله گاز پروپان عملیات حرارتی شدند. لایه های نازک هماتیت آلایش یافته با عنصر زیرکونیم در مقایسه با لایه های نازک هماتیت آلایش نیافته دارای خواص فتوالکتروشیمیایی بهتر با چگالی جریان بالاتری هستند. چگالی جریان نوری برای لایه نازک هماتیت در ولتاژ (0/03mA.cm(-2)؛ (1/23V(RHE است. در صورتی که جریان لایه نازک آلایش یافته با 1% درصد اتمی زیرکونیم (0/12mA.cm(-2 است. همچنین مطابق نتایج کرونوآمپرومتری، لایه های نازک آلایش یافته دارای پایداری جریان در زمان های طولانی تری هستند. مطابق نتایج طیف سنجی مرئی- فرابنفش، گاف انرژی لایه نازک هماتیت 1/77eV است که با افزودن زیرکنیم مقدار گاف انرژی به 1/75eV کاهش می یابد.

تجزیه فتوالکتروشیمیایی آب، فتوآند هماتیت، آلایش دهنده زیرکونیم، رسوب گذاری از فاز مایع