شکافت فوتوالکتروشیمیایی آب با استفاده از لایه نازک هماتیت آلاییده شده با تیتانیوم
عنوان مقاله: شکافت فوتوالکتروشیمیایی آب با استفاده از لایه نازک هماتیت آلاییده شده با تیتانیوم
شناسه ملی مقاله: MCMIM01_032
منتشر شده در نخستین کنفرانس ملّی مواد نوین در سال 1399
شناسه ملی مقاله: MCMIM01_032
منتشر شده در نخستین کنفرانس ملّی مواد نوین در سال 1399
مشخصات نویسندگان مقاله:
مهدی رسولی - دانشجوی کارشناسی ارشد، گروه مهندسی مواد-سرامیک، دانشکده فنی مهندسی، دانشگاه تربیت مدرس، تهران، ایران
امین یوردخانی - استادیار، گروه مهندسی مواد- سرامیک، دانشکده فنی مهندسی، دانشگاه تربیت مدرس، تهران، ایران
رضا پورصالحی - استادیار، گروه مهندسی مواد-نانومواد دانشکده فنی مهندسی، دانشگاه تربیت مدرس، تهران، ایران
خلاصه مقاله:
مهدی رسولی - دانشجوی کارشناسی ارشد، گروه مهندسی مواد-سرامیک، دانشکده فنی مهندسی، دانشگاه تربیت مدرس، تهران، ایران
امین یوردخانی - استادیار، گروه مهندسی مواد- سرامیک، دانشکده فنی مهندسی، دانشگاه تربیت مدرس، تهران، ایران
رضا پورصالحی - استادیار، گروه مهندسی مواد-نانومواد دانشکده فنی مهندسی، دانشگاه تربیت مدرس، تهران، ایران
در این پژوهش اثر آلایش تیتانیوم بر خواص فوتوالکتروشیمیایی لایه نازک هماتیت بررسی شد. لایه نازک هماتیت آلاییده شده با تیتانیوم به روش رسوب گذاری از فاز مایع بر زیرلایه ی FTO رشد داده شد. نتایج مربوط به جریان نوری نمونه ها نشان داد که با افزودن تیتانیوم، جریان نسبت به هماتیت خالص افزایش می یابد و نتایج مربوط به آنالیز کرونوآمپرومتری این افزایش را تأئید کرد. علت افزایش جریان نوری در نمونه ی آلاییده شده با تیتانیوم این است که تیتانیوم افزوده شده وارد شبکه هماتیت شده و به عنوان دهنده الکترون عمل می کند. بنابراین حامل های بار افزایش یافته و جریان نوری افزایش می یابد.
کلمات کلیدی: شکافب فوتوالکتروشیمیایی، لایه نازک هماتیت، رسوب گذاری از فاز مایع، تیتانیوم
صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/1171615/