بررسی تاثیر دمای بستر بر خواص ساختاری و اپتیکی لایه های نازک اکسید مس

در این پژوهش لایه های اکسید مس (CuO) به روش کندوپاش واکنشی روی زیرلایه های شیشه ای در دمای اتاق، 350˚Cلایه نشانی شده اند. فرایند لایه نشانی در فشار (2-)10×1 تور و نسبت گازهای O:Ar به ترتیب برابر 2:1انجام شد. برای مشخصه یابی و ارزیابی خواص ساختاری و اپتیکی لایه های نازک اکسید مس از دستگاه پراش اشعهایکس (XRD) و دستگاه طیف سنج Uv-Vis استفاده شد. نتایج XRD نشان می دهد که افزایش دمای زیرلایه سببرشد در جهت گیری های ترجیحی مختلف و افزایش اندازه کریستالیت ها از 19nm به 38nm می گردد. همچنین،نتایج طیف های اپتیکی نیز نشان دهنده کاهش گاف نواری لایه ها، با افزایش دمای زیرلایه است.

Keywords:

کندوپاش , اکسید مس , خواص ساختاری , خواص اپتیکی , گاف نواری