روند کوچک سازی در فناوریCMOSو چشم انداز آینده

کوچکسازی ترانزیستورها به ویژه ترانزیستورهای اثر میدانی اکسید فلز نیمه هادی طی نسلهای مختلف به هدف مدارات متراکمتر، هزینه کمتر و کاهش توان مصرفی دنبال شده است. در این زمینه گوردون مور از شرکت Intel پیشبینی هایی برای افزایش تعداد قطعات روی تراشه نسبت به زمان ارائه داده است. بر این مبنا در این مقاله نسلهای مختلف کوچک سازی در این فناوری به همراه ویژگیهای هر نسل بیان و با یکدیگر مقایسه شدهاند. همچنین آینده این فناوری و مفهوم فرا CMOS ها مورد بحث قرار میگیرند.

Keywords:

کوچک سازی , ترانزیستور اثر میدان , قانون مور , فناوری CMOS , نسلهای CMOS

Authors

آزیتا شاکرحسینی

دانشجو، دانشکده برق و کامپیوتر، موسسه آموزش عالی آل طه، تهران، ایران

شاهین قربانی زاده شیرازی

استادیار، دانشکده برق و کامپیوتر، موسسه آموزش عالی آل طه، تهران، ایران

Certificate
من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

https://civilica.com/doc/1182015

شناسه ملی سند علمی:

ELEMECHCONF06_350

تاریخ نمایه سازی: 30 فروردین 1400

How to Cite to This Paper:

If you want to refer to this Paper in your research work, you can simply use the following phrase in the resources section:

شاکرحسینی، آزیتا و قربانی زاده شیرازی، شاهین،1399،روند کوچک سازی در فناوریCMOSو چشم انداز آینده،6th National Conference on Applied Research in Electrical, Mechanical and Mechatronics Engineering،Tehran،https://civilica.com/doc/1182015

Scientometrics

The specifications of the publisher center of this Paper are as follows:

Ranking of Al Taha Institution of Higher Education

Type of center: موسسه غیرانتفاعی

Paper count: 300

In the scientometrics section of CIVILICA, you can see the scientific ranking of the Iranian academic and research centers based on the statistics of indexed articles.