محبوبه هوشیار - دانشکده فیزیک، دانشگاه شهید بهشتی، اوین، تهران، ایران
پرنیان الستی - دانشکده فیزیک، دانشگاه شهید بهشتی، اوین، تهران، ایران

در این تحقیق، بر روی سیلیکون حفرات نانومتری با روش سونش شیمیایی به کمک فلزات ایجاد شد.برای تهیه سیلیکون نانوحفرهای از سیلیکون نوع P با ناخالصی بور، نیترات نقره به عنوان یون فلزی واسید هیدروفلوئوریک و آب اکسیژنه به عنوان الکترولیت استفاده شد. با کمک میکروسکوپ FE-SEMاندازه حفرات به دست آمده روی سطح سیلیکون در بازه ۱۸ الی ۶۷ نانومتر بدست آمد، ازاینرو سیلیکونبه دست آمده در گروه مواد مزوحفرات قرار میگیرد. سپس به کمک آنالیز EDX میزان خلوص سیلیکونتعیین شد. بعد از آن طیفسنجی رامان برای دو نمونه سیلیکون خالص و نانو حفره ای مورد بررسی قرارگرفت. نتایج این آزمایش، قله ایجاد شده در طیف رامان را برای هر دو نوع سیلیکون در طول موج ۵۱۹ (۱-)cm نشان میدهد، با این تفاوت که شدت در سیلیکون حاوی حفرات نانومتری بیش از سیلیکون خالصاست. پس از آن برای بررسی اپتیکی، طیفسنجی FT-IR برای دو سیلیکون خالص و حفره ای نانومتریای انجام شد و نتایج حاصل از آن به صورت مقایسه درصد جذب و عبور مورد بررسی قرار رفت. این نتایجتغییرات شدت یا جابهجایی عرضی چشمگیری را برای سیلیکون با حفرات نانومتری نسبت به سیلیکونخالص نشان نمی دهد.

سیلیکون با حفرات نانومتری، سونش شیمایی به کمک فلزات، طیف سنجی رامان، طیف سنجی FT-IR