بررسی اثر افزایش BaZrO۳ بر ریزساختار و خواص دی الکتریک مایکروویو سرامیک های (۰.۹-x)Ba([Zn۰.۶Co۰.۴]۱/۳,Nb۲/۳)O۳–۰.۱Ba(Ga۱/۲Ta۱/۲)O۳–xBaZrO۳ x=۰-۰.۱

سرامیک?های دی?الکتریک مایکروویو امروزه به عنوان اجزای غیرقابل جایگزین در دستگاه?ها و سیستم?های مورد استفاده در فرکانس?های مایکروویو برای مثال تلفن�های همراه و سیستم?های ماهواره�ای به کار می�روند. در این تحقیق اثر افزایش مقادیر متفاوت BaZrO۳، بر روی ریز ساختار و خواص دی�الکتریک مایکروویو یک ترکیب با مبنای Ba(Zn۱/۳Nb۲/۳)O۳(BZN) که با فرمول (۰.۹-x)Ba([Zn۰.۶Co۰.۴]۱/۳,Nb۲/۳)O۳?۰.۱Ba(Ga۱/۲Ta۱/۲)O۳?xBaZrO۳ نشان داده می�شود و در آن �x=۰-۰.۱می?باشد ، مورد بررسی قرار گرفته است. دانسیته در اثر افزایش مقدار BaZrO۳ تا x=۰.۰۸ افزایش و سپس کاهش می�یابد. آزمایشهای پراش پرتوX نشان دهنده حضور فاز Ba(Zn۱/۳Nb۲/۳)O۳ به همراه میزان بسیار ناچیزی از یک فاز ناشناخته برای سرامیک?های با مقادیر x=۰,۰.۰۲,۰.۰۴ می�باشد. با این?حال مطالعات ریزساختاری توسط میکرسکوپ نوری نشان داد که فاز دوم در ریز ساختار سرامیک?های با x=۰.۰۶,۰.۰۸,۰.۱۰ نیز وجود دارد و به دلیل میزان پایین آن توسط آزمایش پراش پرتو X قابل تشخیص نیست. پیک سوپرساختار در طیف پراش پرتو X هیچ?کدام از ترکیبات مشاهده نشد. فاکتور کیفیت (Q�f) برای نمونه با x=۰.۰۸ برابر با GHz۴۳۶۶ بود که بسیار پایین می�باشد. برای بقیه نمونه�ها نیز فاکتور کیفیت پایین و قابل اندازه�گیری نبود. همان?طور که اشاره شد بررسی�های ریزساختاری و پراش پرتو X نشان داد که فاز دوم در تمامی نمونه�ها وجود دارد بنابراین علت اصلی میزان پایین فاکتور کیفیت که برای تمامی نمونه�ها مشاهده شده را می�توان باحضور فاز دوم در ریز ساختار توجیح کرد.

Keywords:

الکتروسرامیک , دی الکتریک مایکروویو , پروسکایت , زینتر , ریز ساختار , فاکتور کیفیت