طراحی تقویت کننده کم نویز در باند فرا پهن با استفاده از تکنولوژی CMOS
Publish place: 14th Iranian Student Conference on Electrical Engineering
Publish Year: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 3,803
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCEE14_004
تاریخ نمایه سازی: 31 مرداد 1390
Abstract:
تقویت کنندههای کم نویز، یکی از اجزای اساسی گیرنده در مخابرات بیسیم محسوب می شوند . زیرا عملکرد آنها کارایی سیستم را، از نظر نویز مشخص میکند. در این مقاله، یک تقویت کننده کم نویز در باند فراپهن توسط تکنولوژیCMOS تحلیل و طراحی شده است. مدار طراحی شده متشکل از دو طبقه گیت مشترک و کسکود میباشد. این تقویت کننده دارای توان مصرفی 16.5 میلی وات، گین 21dB عدد نویز 3dB و پهنای باند 3/1 تا 10/6 گیگاهرتز باشد. تقویت کننده ی کم نویز طراحی شده با استفاده از تکنولوژی 18CMOS میکرون با منبع تغذیه 1/8 ولت طراحی شده است.
Keywords:
تقویت کننده کم نویز - عدد نویز- ضریب انعکاس ورودی و خروجی
Authors
شیلا شمس الدینی
گروه برق، واحد بم، دانشگاه آزاد اسلامی تهران، ایران
ندا بطحایی
گروه برق، واحد گرمسار، دانشگاه آزاد اسلامی تهران،ایران
فرخ حجت کاشانی
دانشکده برق، دانشگاه علم و صنعت ایران، تهران، ایران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :