طراحی و شبیه سازی سلول خورشیدی CZTS با افزودن یک لایه GaAs به لایه جاذب
Publish place: 1st International Conference on Mechanical, Electrical engineering and Engineering Sciences
Publish Year: 1400
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 782
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
MEECONF01_094
تاریخ نمایه سازی: 5 خرداد 1400
Abstract:
این کار مدلسازی و شبیه سازی سلول خورشیدی CZTS را با افزودن یک لایه GaAs به لایه جاذب آن با استفاده از شبیه سازی نرم افزار سیلواکو اطلس نشان می دهد. این شبیه سازی نتایج برجسته ای در مورد رفتار الکتریکی سلول خورشیدی CZTS را با افزودن لایه GaAs نشان میدهد . در این ساختار فیزیکی سلول خورشیدی، از اکسید قلع ایندیم (ITO) و از اکسید روی ZnO به ترتیب به عنوان لایه رسانای شفاف و از لایه پنجره استفاده شد. نتایج این شبیه سازی با افزودن یک لایه GaAs با ضخامت ۲ میکرومتر پارامترهای الکتریکی را به صورت ولتاژ مدار باز ./۸۳ (Voc) ولت ، جریان اتصال کوتاه mA/cm۲۱۹/۶۴ (Jsc) ، عامل پرشدگی %۸۳/۹۸(FF) و بازده تبدیل%۱۳/۶۴ ارائه می دهد. از آنجایی که سلول خورشیدی CZTS و GaAs هر دو باند گپ مستقیم دارند، سلول خورشیدی شبیه سازی شده نتایج خوبی را در عملکرد کلی خود ارائه می دهد.
Keywords:
Authors
محمود رئیس زاده کوشکقاضی
مهندسی مکانیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد استهبان
سینا عزیزی فر
مهندسی الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا