امین امانی بنی - دانشکده فنی - دانشگاه شهرکرد
نوشین قادری - دانشکده فنی - دانشگاه شهرکرد

افزایش سرعت، دقت و کاهش توان مصرفی ادوات الکترونیکی، پارامترهای مهمی هستند که در طراحی و تولید این ادوات باید مورد توجه قرار بگیرند. در این مقاله، طراحی یک حلقه قفل­ شونده در فاز بهبود­ یافته با استفاده از ترانزیستورهای مبتنی بر نانو لوله کربنی ارائه شده است. با استفاده از یک ساختار تفاضلی در نوسان ساز حلقوی، نویز حاصل از منبع تغذیه و همچنین زیرلایه حذف می گردد. همچنین به کارگیری سلف فعال در این نوسان ساز موجب افزایش قابل توجه فرکانس نوسان می گردد. در مدار آشکارساز فاز ارائه ­شده، با استفاده از یک ساختار جدید حلقه ­-باز، سرعت آشکارسازی به ­میزان قابل ­توجهی افزایش می یابد. این امر موجب حذف مدار تقسیم­ کننده در مسیر حلقه می گردد. با حذف مدار تقسیم کننده، نویز مدار به میزان قابل­توجهی کاهش خواهد یافت. مدار طراحی­شده، یک بار با استفاده از تکنولوژی ماسفت در پروسه ۰.۱۸ میکرومتر و درنهایت با ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی بر نانولوله کربنی در پروسه ی۳۲ نانومتر و با منبع تغذیه ی ۰.۹ ولت، پیاده سازی شده است. فرکانس مرکزی در این پروسه برابر با ۶۸.۵ گیگاهرتز می باشد؛ همچنین توان مصرفی کمتر از ۱۵۰ نانو وات و زمان قفل شدن آن کمتر از ۱۰ پیکوثانیه می باشد.

حلقه ی قفل شونده در فاز, آشکارساز فاز, ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی بر نانولوله های کربنی