مقاله پژوهشی: تاثیر شرایط و روش لایه نشانی در خواص فیزیکی لایه های MAPbI۳ به منظور استفاده در سلول خورشیدی پروسکایتی
Publish place: Iranian Journal of Applied Physics، Vol: 10، Issue: 4
Publish Year: 1399
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 160
This Paper With 13 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_JAPAZ-10-4_005
تاریخ نمایه سازی: 18 خرداد 1400
Abstract:
در سالهای اخیر سلول های خورشیدی با جاذب پروسکایت به دلیل افزایش فوقالعاده بازده، شدیدا مورد توجه محققان قرار گرفتهاند. در این پژوهش لایههای نازک پروسکایت متیل آمونیم سرب یدید (MAPbI۳) به روش رشد دومرحلهای تهیه شده است. دو روش چرخشی چرخشی و چرخشی غوطهوری شد و ویژگیهای فیزیکی لایههای به دست آمده از این روشها مقایسه شد. ویژگیهای اپتیکی و ساختاری آن ها توسط روش های UV-VIS ، XRD و FE-SEM بررسی شده است. نتایج حاصل از بررسیهای ساختاری، فاز مکعبی را برای پروسکایت MAPbI۳ نشان داد. همچنین مورفولوژی سطح لایه ها در تصاویر FE-SEM مشخص شد، که تشکیل یک لایه منسجم، بدون هیچگونه ترک و ناپیوستگی را تایید میکند. نتایج نشان داد که گاف اپتیکی نمونه ها در بازه eV ۵۹/۱- ۵۴/۱ است. همچنین اثر تغییر غلظت ماده اولیه بر خواص فیزیکی لایه های MAPbI۳ تهیه شده به هر دو روش، مشخص شد. نتایج نشان داد که در هر دو روش با افزایش غلظت PbI۲ لایههای با ضخامت و جذب بیشتر ساخته میشود.
Keywords:
Authors
نفیسه معماریان
استادیار، دانشکده فیزیک، دانشگاه سمنان، سمنان، ایران
رضا رجب بلوکات
دانش آموخته کارشناسی ارشد، دانشکده فیزیک، دانشگاه سمنان، سمنان، ایران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :