خواص الکترونی، نوری و مغناطیسی تک لایه مولیبدن دی سولفید در حضور نقص های نقطه ای با استفاده از اصول اولیه

Publish Year: 1399
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 136

متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

JR_KEEE-7-14_006

تاریخ نمایه سازی: 23 خرداد 1400

Abstract:

چکیده-این پژوهش به مطالعه در خصوص نقص­های تهی جای مولیبدن دی سولفید تک­لایه بر پایه اصول اولیه می­پردازد. روش محاسبات اصول اولیه مبتنی بر تئوری تابعی چگالی(DFT) به مطالعه و بررسی ساختار الکترونی اتم­ها، مولکول­ها و جامدات می­پردازد و روش دقیق و هوشمندانه­ای برای جایگزینی مسائل چندذره­ای محسوب می­شود. ابرسلول در نظر گرفته شده در این ساختار شامل ۳۶ اتم می­باشد و از تقریب شیب تعمیم یافته برای پتانسیل تبادلی-همبستگی استفاده شده است. مولیبدن دی سولفید تک­لایه ذاتی دارای شکاف نوار مستقیم با انرژیeV ۸۲/۱ می­باشد. وجود نقص در این ساختار منجر به تغییرات قابل توجهی در خواص الکترونیکی و مغناطیسی ماده می­گردد. نتایج نشان می­دهند حذف یک اتم مولیبدن و یا حذف یک اتم مولیبدن به همراه دو اتم گوگرد منجر به تغییر حالات اسپینی و مغناطیسی شدن ماده می­گردد. به علاوه، حذف یک و دو اتم گوگرد منجر به انرژی شکاف نواری کمتر از حالت ذاتی می­شود. با برداشتن یک اتم گوگرد اولین بیشینه قسمت موهومی تابع دی­الکتریک در حوالی شکاف نوار رخ می­دهد. حذف دو اتم گوگرد و یا یک اتم مولیبدن با یک اتم گوگرد نیز منجر به غیرمستقیم شدن شکاف نوار می­گردد. مطالعه عیوب ساختاری می­تواند فرصت­های نوینی را برای رهیافت در خصوص رشد و سنتز نانومواد فراهم سازد.

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • Novoselov, K.S., Jiang, D., Schedin, F., Booth, T.J., Khotkevich, V.V., ...
  • Neto, A.C., Guinea, F., Peres, N.M., Novoselov, K.S. and Geim, ...
  • Mayorov, A.S., Gorbachev, R.V., Morozov, S.V., Britnell, L., Jalil, R., ...
  • Yoffe, A.D., ۱۹۹۳. Low-dimensional systems: quantum size effects and electronic ...
  • Kuc, A., Zibouche, N. and Heine, T., ۲۰۱۱. Influence of ...
  • Kadantsev, E.S. and Hawrylak, P., ۲۰۱۲. Electronic structure of a ...
  • Nayeri, M., Fathipour, M. and Goharrizi, A.Y., ۲۰۱۶. The effect ...
  • Nayeri, M., Fathipour, M. and Goharrizi, A.Y., ۲۰۱۶, May. The ...
  • Wang, W., Yang, C., Bai, L., Li, M. and Li, ...
  • J.P. Perdew, K. Burke, M. Ernzerhof, ۱۹۹۶, Generalized gradient approximation ...
  • Kresse, G., and Furthmuller, J., ۲۰۰۲, Vienna ab-initio simulation package ...
  • Nayeri, M., Moradinasab, M. and Fathipour, M., ۲۰۱۸. The transport ...
  • نمایش کامل مراجع