چکیده-این پژوهش به مطالعه در خصوص نقص­های تهی جای مولیبدن دی سولفید تک­لایه بر پایه اصول اولیه می­پردازد. روش محاسبات اصول اولیه مبتنی بر تئوری تابعی چگالی(DFT) به مطالعه و بررسی ساختار الکترونی اتم­ها، مولکول­ها و جامدات می­پردازد و روش دقیق و هوشمندانه­ای برای جایگزینی مسائل چندذره­ای محسوب می­شود. ابرسلول در نظر گرفته شده در این ساختار شامل ۳۶ اتم می­باشد و از تقریب شیب تعمیم یافته برای پتانسیل تبادلی-همبستگی استفاده شده است. مولیبدن دی سولفید تک­لایه ذاتی دارای شکاف نوار مستقیم با انرژیeV ۸۲/۱ می­باشد. وجود نقص در این ساختار منجر به تغییرات قابل توجهی در خواص الکترونیکی و مغناطیسی ماده می­گردد. نتایج نشان می­دهند حذف یک اتم مولیبدن و یا حذف یک اتم مولیبدن به همراه دو اتم گوگرد منجر به تغییر حالات اسپینی و مغناطیسی شدن ماده می­گردد. به علاوه، حذف یک و دو اتم گوگرد منجر به انرژی شکاف نواری کمتر از حالت ذاتی می­شود. با برداشتن یک اتم گوگرد اولین بیشینه قسمت موهومی تابع دی­الکتریک در حوالی شکاف نوار رخ می­دهد. حذف دو اتم گوگرد و یا یک اتم مولیبدن با یک اتم گوگرد نیز منجر به غیرمستقیم شدن شکاف نوار می­گردد. مطالعه عیوب ساختاری می­تواند فرصت­های نوینی را برای رهیافت در خصوص رشد و سنتز نانومواد فراهم سازد.

Dielectric function, transmission spectrum, magnetic, molybdenum disulfide, defect, تابع دی الکتریک, طیف انتقال, مغناطیسی, مولیبدن دی سولفید, نقص