بدون شک عناصر حافظه­دار انقلاب جدیدی در صنعت الکترونیک ایجاد کرده است، که باعث می­شود از خواص آن در کاربردهای گوناگون بهره برد. سلف حافظه­دار یکی از عناصر مذکور بوده که با توجه به ویژگی­های منحصر به فرد آن اخیرا مورد توجه بسیاری از محققان قرار گرفته است. در این مقاله، ابتدا یک ساختار جدید از مدل سلف حافظه­دار با استفاده از ممریستور ارائه گردیده است. این ساختار تا فرکانس ۲۰۰ هرتز عملکرد خوبی از خود نشان می دهد. سپس برای اولین بار یک ساختار جدید به منظور طراحی و پیاده سازی امولاتور سلف حافظه دار کنترل شده با شار مغناطیسی در محدوده فرکانسی مگاهرتز پیشنهاد شده است. مدار امولاتور پیشنهادی از یک ضرب کننده آنالوگ استفاده می کند. مدل سلف حافظه­دار بیان شده می تواند در هر دو تنظیمات افزایشی و کاهشی تنظیم شود و عملکرد خوبی تا فرکانس ۶/۵ مگاهرتز داشته باشد. در این مقاله ابتدا تحلیلی از مدل پیشنهاد شده با مدارات الکترونیکی توضیح داده شده است و سپس نتایج شبیه سازی و ساخت مدل پیشنهادی آورده شده است. نتایج مدار طراحی شده، نشان دهنده عملکرد مناسب مدار طراحی شده به عنوان سلف حافظه دار می باشد.

Memristive Elements, Meminductor, Memristor, Emulator, High Frequency, عناصر حافظه دار, سلف حافظه دار, ممریستور, امولاتور, فرکانس بالا