مهندسی گاف انرژی لایه جاذب در سلول خورشیدی مسطح مبتنی بر پروسکایت سه کاتیونه
Publish place: Fifth International Conference on Technology Development in Iranian Electrical Engineering
Publish Year: 1400
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 552
This Paper With 8 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ECMCONF05_052
تاریخ نمایه سازی: 29 خرداد 1400
Abstract:
تاثیر ترکیب کردن دو کاتیون آلی فرمامیدینیوم FA و متیل آمونیوم MA در لایه جذب کننده پروسکایت از سلول خورشیدی توسط شبیه سازی با نرم افزار SCAPS بررسی شده است که بر میزان این دو کاتیون در ساختار سلول با تغییر نسبت(FA+MA) FA اثر می گذارد. در این مقاله معادله گاف انرژی با استفاده از اطلاعات تجربی بدست آمده است. گاف انرژی از ev ۲.۱۷۵ تا ev ۱.۵ برای درجه بندی متفاوت از طریق تغییر نسبت ترکیبی FA(FA+MA) به ترتیب از ۰ به ۱ تغییر یافته است. مقادیر گاف انرژی در جلو و عقب به ترتیب مقادیر گاف انرژی جذب کننده پروسکایت در سمت نور و سمت عقب هستند. بالاترین میزان راندمان تبدیل انرژی سلول خورشیدی پروسکایتی زمانی نشان داده می شود که در درجه بندی گاف انرژی، متشکل از گاف انرژی در جلو ev FA/(FA+MA) = ۰) ۲,۱۷۵ و گاف انرژی در پشت (FA/(FA+MA) = ۱ ) ۱,۵ ev است.
Keywords:
Authors
علی ابراهیمی
کارشناسی ارشد الکترونیک/افزاره های میکرو و نانوالکترونیک
راضیه تیموری
دانشجوی دکتری نانوفناوری – نانوالکترونیک
محمدرضا کلاهدوز اصفهانی
دانشیار