مدل سازی پتانسیل دو بعدی ولتاژ آستانه برای ترانزیستورهای نانو لوله کربنی

Publish Year: 1400
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 312

This Paper With 12 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

DMECONF06_001

تاریخ نمایه سازی: 7 تیر 1400

Abstract:

در این مقاله با حل معادلات پواسن، مدلی دقیق برای ترانزیستورهای نانولوله کربنی دو گیتی دو ماده ای پیشنهاد و ارائه می گردد که نسبت به مدل های قبلی جامع تر و کامل تر می باشد. در اینجا با درنظر گرفتن ترانزیستور دوگیتی با گیت دو ماده ای، برای تحلیل دقیق تر پتانسیل درون کانال، مدل سازی آن و حل معادله پوا سون به صورت دوبعدی درنظر گرفته می شود. در این روش پتانسیل الکتروستاتیکی درون کانال از مجموع دو قسمت پتانسیلکانال بلند (پایخ یک بعدی معادله ی پواسن) و تغییرات پتانسیل به دلیل اثر جانبی میدان درین (پاسخ دو بعدی معادله ی لاپلاس) حاصر می شود. همچنین وابستگی بار درون کانال به پتانسیل درون کانال در نظر گرفته می شود که در نهایت پاسخ کلی تر و دقیق تری برای پتانسیل ترانزیستور به دست می دهد. بر اساس مدل موجود که پتانسیل دوبعدی در کانال ترانزیستور به صورت مجموع دو قسمت پتانسیل سطحی در یک بعد و تغییرات جانبی پتانسیل در دو بعد در نظر گرفته شده است و بار کانال ثابت فرض شده است، برای یک ترانزیستور دوگیتی با گیت دوماده ای پتانسیل به طور کلی بر اساس مجموع پتانسیل یک بعدی درون کانال (بدون وابستگی به پتانسیل سطحی) و تغییرات جانبی پتانسیل در دو بعد درنظر گرفته می شود. همچنین بار در رابطه پواسون وابسته به پتانسیل درون کانال (و نه مقدار ثابت) در نظر گرفته می شود که تحلیل کامل تری از معادله پواسون به دست می دهد. در نهایت نتایج به دست آمده با نتایج موجود در مراجع مقایسه و درستی مدل ارائه شده مورد بررسی قرار می گیرد.

Keywords:

ترانزیستور دو گیتی دو ماده ای , معادله ی پواسن دوبعدی , ولتاژ آستانه , معادله ی لاپلاس