شبیه سازی و بررسی پارامترهای موثر بر کاهش توان مصرفی در مدارهای ضرب کننده با استفاده از فناوری ترانزیستورهای CNT
عنوان مقاله: شبیه سازی و بررسی پارامترهای موثر بر کاهش توان مصرفی در مدارهای ضرب کننده با استفاده از فناوری ترانزیستورهای CNT
شناسه ملی مقاله: JR_JCEJ-10-38_004
منتشر شده در در سال 1399
شناسه ملی مقاله: JR_JCEJ-10-38_004
منتشر شده در در سال 1399
مشخصات نویسندگان مقاله:
عبدالرسول مقاتلی - دانشجوی ارشد دانشگاه آزاد واحد بوشهر
حسین مومن زاده - عضو هیات علمی دانشگاه آزاد واحد بوشهر
محمد نادر کاکایی - هیت علمی دانشگاه ازاد واحد بوشهر
خلاصه مقاله:
عبدالرسول مقاتلی - دانشجوی ارشد دانشگاه آزاد واحد بوشهر
حسین مومن زاده - عضو هیات علمی دانشگاه آزاد واحد بوشهر
محمد نادر کاکایی - هیت علمی دانشگاه ازاد واحد بوشهر
در این مقاله، به ارائه یک ضرب کننده آنالوگ چهار ربعی مد جریان جدید برپایه ترانزیستور های نانو لوله کربنی می پردازیم. مدارهای مجذورکننده جریان که اخیرا طراحی شده است و آینه جریان، که در ولتاژ تغذیه پایین (۱V) کار می کنند، اجزای اساسی در تحقق معادلات ریاضی هستند. در این پژوهش مدار ضرب کننده، با استفاده از فناوری CNTFET ،۳۲ نانو متر طراحی می شود و برای معتبر ساختن عملکرد مدار، ضرب کننده ارائه شده در شبیه ساز HSPICE شبیه سازی شده است. نتایج حاصل از شبیه سازی نشان می دهد که مدار قابلیت عملکرد مطلوب را تا فرکانس ۲ گیگا هرتز ، مصرف توان ماکزیمم ۳.۷۴۶۴µw و همچنین دارای THD ۰.۲۲۶۰۴۳% می باشد.
کلمات کلیدی: ترانزیستور نانو لوله کربنی, ضرب کننده آنالوگ چهار ربعی, مد جریان, مدار مجذور کننده جریان
صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/1240473/