طراحی و شبیه سازی حافظه چهار ترانزیستوری و دو ممریستوری با کمترین توان مصرفی و حاصلضرب تاخیر در توان

Publish Year: 1400
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 342

This Paper With 12 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

JR_JIPET-12-47_004

تاریخ نمایه سازی: 20 تیر 1400

Abstract:

ممریستور به­عنوان عنصر اساسی حافظه­های اصلی یا پنهان SRAM و DRAM، می­تواند به­صورت موثری زمان راه­اندازی و توان مصرفی مدارها را کاهش دهد. غیر فرار بودن، چگالی بالای مدار نهایی و کاهش حاصل­ضرب تاخیر در توان مصرفی PDp از حقایق قابل توجه مدارهای ممریستوری است که منجر به پیشنهاد سلول حافظه شامل چهار ترانزیستور و دو ممریستور (۴T۲M) در این مقاله شده است. به­منظور شبیه­سازی سلول حافظه پیشنهادی، طول ممریستورها ۱۰ نانومتر و مقاومت حالت­های روشن و خاموش آنها به­ترتیب ۲۵۰ اهم و ۱۰ کیلو اهم انتخاب شده است. همچنین، ترانزیستورهای MOS سلول نیز توسط مدل CMOS PTM ۳۲ نانومتر شبیه­سازی شده­اند. شبیه­سازی در نرم­افزار اچ-اسپایس و با تغذیه یک ولت و مقایسه آن با دو سلول شش ترانزیستوری متعارف (۶T) و دو ترانزیستوری-دو ممریستوری (۲T۲M) نشان می­دهد که استفاده از ممریستور سبب غیر فرار شدن سلول­ حافظه پیشنهادی و سلول ۲T۲M در زمان قطع  ولتاژ تغذیه شده است، ضمن آن که مصرف توان مدار پیشنهادی نسبت به مدار ۶T و ۲T۲M به ترتیب ۸/۹۹ درصد و ۲/۵۷ درصد کاهش یافته و حاصل ضرب متوسط تاخیر در توان نیز به ترتیب ۴/۹۹ درصد و ۷/۲۶ درصد بهبود یافته است؛ هرچند تاخیر نوشتن این سلول و سلول  ۲T۲Mنسبت به سلول ۶T به ترتیب ۴۰۰ درصد و ۲۱۸ درصد افزایش یافته است. 

Keywords:

حافظه غیرفرار , ممریستور , سلول۴T۲M , حاصل ضرب تاخیر در توان

Authors

کرامت کرمی

دانشکده مهندسی برق- واحد نجف آباد، دانشگاه آزاد اسلامی، نجف آباد، ایران

سید محمد علی زنجانی

مرکز تحقیقات ریز شبکه های هوشمند- واحد نجف آباد، دانشگاه آزاد اسلامی، نجف آباد، ایران

مهدی دولتشاهی

دانشکده مهندسی برق- واحد نجف آباد، دانشگاه آزاد اسلامی، نجف آباد، ایران

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • [۱]S.M.A. Zanjani, M. Dousti, M. Dolatshahi, "A CNTFET universal mixed‐mode ...
  • N. Shaarawy, M. Ghoneima, A.G. Radwan, "۲T۲M Memristor-based memory cell ...
  • A. Baghi-Rahin, V. Baghi-Rahin, "A new ۲-input CNTFET-based XOR cell ...
  • N. Dehabadi, R. Faghih-Mirzaee, "Ternary DCVS half adder with built-in ...
  • A.M.S. Tosson, A. Neale, M. Anis, L. Wei, "۸T۱R: A ...
  • S. Pal, S. Bose, W.-H. Ki, A. Islam, "Design of ...
  • S. Bhatti, R. Sbiaa, A. Hirohata, H. Ohno, S. Fukami, ...
  • K. Eshraghian, K. Cho, O. Kavehei, S. Kang, D. Abbott, ...
  • K. Takeda, Y. Aimoto, N. Nakamura, H. Toyoshima, T. Iwasaki, ...
  • I. Carlson, S. Andersson, S. Natarajan, A. Alvandpour, "A high ...
  • G.M.S. Reddy, P.C. Reddy, "Design and implementation of ۸k-bits low ...
  • R.E. Aly, M.A. Bayoumi, "Low-power cache design using ۷T SRAM ...
  • L. Wen, X. Cheng, K. Zhou, S. Tian, X. Zeng, ...
  • M. Hemmati, M. Dolatshahi, S.M.A. Zanjani, "Design and optimization of ...
  • I. Vourkas, G.C. Sirakoulis, "A novel design and modeling paradigm ...
  • G. Papandroulidakis, A. Serb, A. Khiat, G. V. Merrett, T. ...
  • I. Vourkas, G. C. Sirakoulis, "Memristor-based nanoe­lec­tronic computing circuits and ...
  • G. Papandroulidakis, I. Vourkas, N. Vasileiadis, G.C. Sirakoulis, "Boolean logic ...
  • S.S. Sarwar, S.A.N. Saqueb, F. Quaiyum, A. Rashid, "Memristor-based nonvolatile ...
  • V. Saminathan, K. Parasamivam, "Design and analysis of low power ...
  • M. N. Sakib, R. Hassan, S. Biswas, "A memristor-based ۶T۱M ...
  • J. Singh, B. Raj, "Design and investigation of ۷T۲M-NVSRAM with ...
  • C. Roy, A. Islam, "TG based ۲T۲M RRAM using Memristor ...
  • A. Ebrahimi, E. Kargaran, A. Golmakani, "Design and analysis of ...
  • A. Rezaei, S.M.A. Zanjani, “Design and analysis of ۲ memristor-based ...
  • Z. Lin, Y. Wang, C. Peng, X. Wu, X. Li, ...
  • N. S. Soliman, M. E. Fouda, A. G. Radwan, "Memristor-CNTFET ...
  • C. Sun, K. Han, X. Gong, "Performance evaluation of static ...
  • D. Batas, H. Fiedler, "A memristor SPICE implementation and a ...
  • Z. Kolka, D. Biolek, V. Biolkova, "Hybrid modelling and emulation ...
  • Y.V. Pershin, M.D. Ventra, "Spice model of memristive devices with ...
  • نمایش کامل مراجع