بهنام درستکار - دانشگاه تربیت معلم سبزوار
حسین شاهمرادی
جواد حدادنیا
مجید بقایی نژاد

دراین مقاله یک تقویت کننده با نویز پایین Low noise amplifier با استفاده از تکنولوژی 0.18μm CMOS در توپولوژی گیت مشترک و در باند فرکانس 3 -10 GHz ( Ultra wide band ( مورد بررسی قرارگرفته است دراین طرح توسط یک طبقه کاسکود و انتخاب بهینه مقادیر المان ها گین مدار را افزایش می دهیم نتایج شبیه سازی درنرم افزار ADS ( Advance design system مقدار گین S21 ، و 19تا 23 دسی بل ماکزیمم نویز فیگر NF برابر 3/7 دسی بل و مچینگ ورودی S11 کمتر از -17 دسی بل کهمطلوب می باشد را نشان میدهد به منظور کاهش توان مصرفی تغذیه مدار 1 ولت انتخاب شده است که توان مصرفی مدار برابر 6.26 میلی وات می باشد.

تقویت کننده پهن باند با نویز پایین، گین، نویز فیگر، گیت مشترک، مچینگ ورودی، طبقه کاسکود