مرتضی تقوی - دانشگاه جامع امام حسین (ع)
زین العابدین کرمی - دانشگاه جامع امام حسین (ع)
وحید عطار - دانشگاه جامع امام حسین (ع)
سیدامیرمسعود میری - دانشگاه جامع امام حسین (ع)

این مقاله به شبیه سازی دو نوع تقویت کننده حسی sense amplifier نوع ولتاژ با ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربنی می پردازد شبیه سازی ها با استفاده ازمدل CNTFET ارائه شده توسط دانشگاه استنفورد انجام شده است برای مقایسه این دو تقویت کننده حسی با استفاده از مدل پیشگوی 32nm در تکنولوژی cmos نیز شبیه سازی شده است نتایج شبیه سازی با استفاده از نرم افزار hspice نشان میدهد که درهر دو تقویت کننده حسی شکل موج خروجیدر تکنولوژی CNTFET نسبت به تکنولوژی CMOS دارای جهش کمتر می باشد و توان و تاخیر بهبود قابل توجهی یافته است در مورد تقویت کننده ی حسی ولتاژ رایج توان و تاخیر در تکنولوژی CNTFET نسبت به CMOS به ترتیب 65% و 41% درصد بهبود یافته است. درمورد تقویت کننده نوع دوم که از نظر تاخیر نسبت به نوع رایج بهبود یافته است نیز توان و تاخیر در تکنولوژی CNTFET به ترتیب 50 و 8% کمتر است.

مدارهای مجتمع، ترانزیستور نانولوله کربنی، تقویت کننده حسی، حافظه ها ، SRAM