وحید عطار - دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه امام حسین (ع)
مرتضی تقوی - دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه امام حسین
محمدحسین قزل ایاغ - استادیار دانشگاه امام حسین
زین العابدین کرمی - دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه امام حسین

با توجه به نقش مهم گیت های XOR-XNOR در بلوکها و ساختارهای مدارات پایه محاسباتی بسیاری از جمله ضرب کننده ها مقایسه گرها مالتی پلکسرهاو ... همواره روشهای جدید برای این مدارها درجهت بهبود دادن سرعت و توان مصرفی پیشنهاد شده است با کم شدن مقیاس به تکنولوژی زیر میکرون امنیت نویز یک پارامتر هم اهمیت با توان سرعت و فضا شده است این مقاله در ابتدا چند مدار XOR-XNOR را که جز آخرین مدارهای قابل دسترسی درمستندات می باشد و دارای عملکردهای مناسبی از نظر توان مصرفی و حاصلضرب توان - تاخیر PDP هستند را معرفی می نماید سپس یک گیت XOR-XNOR مقاوم در برابر نویز با 10 ترانزیستور پیشنهاد شده است. درنهایت نتایج شبیه سازی در تکنولوژی μm18 با استفاده از نرم افزار HSPICE ودر رنج ولتاژ های تغذیه از 0.6V تا 3.3 V مشخص می سازد که مدار ارائه شده دراین گزارش با داشتن توان مصرفی و PDP قابل مقایسه با آخرین مدارهای XOR-XNOR قابل دسترس در گزارشها دارای سطوح خروجی مناسب تر و مصونیت در برابر نویز بسیار بالاتری نسبت به مدار رقیب می باشد.

مصونیت در برابر نویز، گیت XOR-XNOR ، توان مصرفی