بررسی اثر بازترکیب در سلول خورشیدی چاه کوانتومی InGaP/InGaAs/Ge
عنوان مقاله: بررسی اثر بازترکیب در سلول خورشیدی چاه کوانتومی InGaP/InGaAs/Ge
شناسه ملی مقاله: ICEEE03_276
منتشر شده در سومین کنفرانس مهندسی برق و الکترونیک ایران در سال 1390
شناسه ملی مقاله: ICEEE03_276
منتشر شده در سومین کنفرانس مهندسی برق و الکترونیک ایران در سال 1390
مشخصات نویسندگان مقاله:
عبدالنبی کوثریان - دانشگاه شهید چمران اهواز
علیرضا کرامت زاده - دانشگاه شهید چمران اهواز
خلاصه مقاله:
عبدالنبی کوثریان - دانشگاه شهید چمران اهواز
علیرضا کرامت زاده - دانشگاه شهید چمران اهواز
سلولهای خورشیدی چاه کوانتومی به عنوان نسل سوم سلولهای خورشیدی جایگاهی مهم در تبدیل انرژی های نوری پیدا کرده اند بالا بردن بازده این گونه سلولها کمک شایانی به تولید و استفاده بهینه تر از انرژی خورشیدی می کند دراین مقاله پدیده بازترکیب در یک سلول نمونه InGaP/InGaAs/Ge بررسی شده است در ادامه پس از بررسی عوامل بازترکیب به کمک روش ماتریس انتقالی TMM و حل معادله شرودینگر رابطه بین بازترکیب و عمق چاه کوانتومی سلول محاسبه و نتایج با مدل عملی مقایسه شده است برای شبیه سازی از نرم افزار MATLAB استفاده شده است.
کلمات کلیدی: روش ماتریس انتقالی، سلول خورشیدی چاه کوانتومی
صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/125507/