بررسی و ارائه راهکار جهت کاهش جریان نشتی در ترانزیستور های نانوکربنی
Publish Year: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 2,233
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEEE03_284
تاریخ نمایه سازی: 18 مهر 1390
Abstract:
دراین تحقیق از مدلی ساده برای ارزیابی ترانزیستورهای نانوکربنی استفاده شده است در فصل اول سعی شده تا عملکرد مناسب درین ، سورس و گیت بررسی شود برای رسیدن به خصوصیاتمطلوب ترانزیستور شیب آستانه نزدیکبه محدوده گرمای یونی نسبت ON/OFF در حدود 3 10 جریان ON و میزان میزان رسانایی نزدیک به محدوده سطح مشترک تحقیق شده است سپس راه کارهایی جهت رفع محدودیت های موجوددر ترانزیستورهای نانوکربنی ارائه شده از جمله پیشنهاد ساختار جدید برای FET که باعث افزایش مشخصه خروجی در ناحیه اشباع می شود و نیز استفاده از اکسید گیت با ضخامت نامتقارن برای کاهش جریان نشتی درین القا شده از گیت در افزاره سیلیکان و همچنین به بررسی عملکرد فرکانس بالای نانوتیوپ کربنی در محدوده فرکانسی GHz تا THz پرداخته و در مورد چگونگی برقراری پیوند بین دنیای نانویی و ماکرویی بحث می شود.
Keywords:
Authors
حامد محمدیان
دانشگاه آزاد اسلامی واحد شوشتر
محمد سروش
استادیار دانشگاه شهید چمران اهواز
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :