یک فشرده ساز ۴:۲ مافوق ولتاژ پایین و توان پایین با استفاده از ترانزیستورهای FinFET
Publish Year: 1397
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 222
This Paper With 12 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_JIPET-9-33_003
تاریخ نمایه سازی: 2 شهریور 1400
Abstract:
یک فشرده ساز، بلوک سازنده بسیاری از مدارات محاسباتی می باشد. طراحی یک فشرده ساز که مساحت کوچکتر، توان مصرفی کم و سرعت بالا دارد همواره مورد تقاضا می باشد. از آنجاییکه طول کانال به سمت مقیاس نانو میل می کند استفاده از MOSFET به عنوان افزاره پایه در فشرده ساز اکنون به محدودیت های عملکردی خود از قبیل اتلاف توان میانگین و سرعت نائل می شود. در این مقاله، یک سلول تمام جمع کننده یک بیتی با استفاده از ترانزیستور FinFET براساس مدل فرایند PTM ۳۲nm با ولتاژ تغذیه ۰.۵ ولت برای کاربردهای موبایل پیشنهاد شده است.سپس، از تمام جمع کننده پیشنهادی در ساختار فشرده ساز استفاده شده و عملکرد فشرده ساز ۴:۲ پیشنهادی با نتایج شبیه سازی بدست آمده از نرم افزار HSPICE ارزیابی شده است. پارامترهای اصلی فشرده ساز از قبیل توان مصرفی، تاخیر، PDP و EDP اندازه گیری شده و عملکرد ممتاز آن با شبیه سازی های مختلف ثابت گردید. همچین، در مقایسه با فشرده ساز مبتنی بر MOSFET، تعداد ترانزیستورها به ۴۲ عدد کاهش یافت.
Keywords:
Authors
امیر باغی رهین
مربی - گروه مهندسی برق، واحد سردرود، دانشگاه آزاد اسلامی، سردرود، تبریز، ایران
وحید باغی رهین
مربی - گروه مهندسی برق، واحد سردرود، دانشگاه آزاد اسلامی، سردرود، تبریز، ایران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :