بررسی اثر جذب عامل های هیدروژن و هیدروکسید بر خواص الکترونی و توپولوژیکی پلامبین

Publish Year: 1400
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 392

This Paper With 10 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

FMCBC04_031

تاریخ نمایه سازی: 12 شهریور 1400

Abstract:

پلامبین همانند سیلیسین دارای ساختار هگزاگونال وگاف نواری بزرگی (۴۲۰meV) است. براساس تمامی مطالعاتگذشته پلامبین مانند یک عایق معمولی رفتار می کند. در این پژوهش خواص الکترونی و توپولوژیکی ابرسلول ۱×۳×۳پلامبین براساس محاسبات اصول اولیه و نظریه تابعی چگالی بررسی شده است. رفتار این ماده پس از پوشش جزیی توسطاتم هیدروژن، مولکول هیدروژن و مولکول هیدروکسید نیز مورد مطالعه قرار گرفته است. پلامبین پس از جذب دو اتمهیدروژن با گاف نواری ۱۵۰meV و چهار مولکول هیدروکسید با گاف نواری ۱۰۰meV و ناوردای توپولوژیک Z(۲)=۱ به یک عایق توپولوژیکی غیربدیهی تبدیل می شود. پلامبین می تواند گزینه مناسبی برای مشاهده اثر هال کوانتومی در دمای اتاق باشد.

Authors

میترا دولت آبادی

دانشجوی کارشناسی ارشد، گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه فردوسی، مشهد، ایران

محمود رضایی رکن آبادی

استاد، گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه فردوسی، مشهد، ایران

محسن مدرسی

استادیار، گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه فردوسی، مشهد، ایران