عبدالنبی کوثریان - ایران، دانشگاه شهید چمران اهواز، دانشکده مهندسی، گروه برق و الکترون
سیدمهرداد کن کنان

نظر به نقشسلول های خورشیدی در تولید و دستیابی به انرژی الکتریکی پاکو ارزان و بازده بالای سلول های خورشیدی GaAs در غیاث با سایر انواع سلول ها، در این مقاله سعی داریم تا به کمکدسته معادلات نفوذ- رانش یکسلول خورشیدی تکپیوندی GaAs را شبیه سازی کنیم. آثار مربوط به انعکاس سطحی و بازتاب لایه فلزی زیرین سلول طبق مدل های موجود، در شبیه سازی اعمال شده و سلول خورشیدی مورد نظر در دو حالت تاریک و در معرض تابش نور آفتاب شبیه سازی شده است. منحنی ولتاژ- جریان سلول در بخش نهایی ترسیم و ولتاژ مدار باز و جریان اتصال کوتاه به دست آمده از شبیه سازی عددی با نتایج تحلیلی مقایسه شده است که صحت و دقت شبیه سازی را نشان می دهد

روشجای گذاری LU سلول خورشیدی GaAs ،معادله پواسون، معادلاتنفوذ- رانش