اسماعیل شهریاری - استادیار، گروه فیزیک، دانشگاه فنی و حرفه ای، تهران، ایران.
امین معتمدی نسب - استادیار، گروه فیزیک، دانشگاه فنی و حرفه ای، تهران، ایران.

در این پژوهش، با استفاده از روش تبخیر حرارتی، لایه­های نازک سولفیدروی و سولفیدروی آلاییده شده با غلظت­های۳، ۴ و ۷ درصد مس، لایه­نشانی شدند و خواص اپتیکی خطی و غیرخطی نمونه­ها با استفاده از طیف سنج جذبی مرئی- فرابنفش (UV-Vis)، طیف فوتولومینسانس (PL) و دستگاه روبش تک محوری (Z-Scan) اندازه گیری و تجزیه وتحلیل شدند. همچنین خواص ساختاری نمونه ها با استفاده از پراش پرتو ایکس (XRD) و تحلیل کمی داده ها بررسی شد. پیک های حاصل از نمودارها نشان می دهند که ناخالصی های موجود در لایه­های نازک سولفیدروی، منجر به فاز جدیدی در نمونه ها نشده ولی شدت نسبی قله­ها افزایش یافته است. با استفاده از داده های اندازه گیری شده حاصل از طیف جذبی، مقادیر جذب و گاف انرژی نانوساختار سولفیدروی و سولفیدروی آلاییده شده با مس محاسبه شدند. طیف فوتولومینسانس نشان می دهد با افزایش غلظت یون های مس شدت PL کاهش می یابد. اندازه گیری های اپتیکی غیرخطی با استفاده از لیزر موج پیوسته در طول موج nm ۵۳۲ برای روزنه باز و بسته نشان می­دهد که ضریب جذب غیرخطی برای فیلم سولفیدروی، مثبت و برای فیلم های نازک سولفید روی آلاییده شده با مس منفی است. همچنین، با افزایش غلظت ضریب شکست و جذب غیرخطی افزایش می یابند.

نانوذرات, تابناکی, خواص اپتیکی