مدلسازی مشخصهی جریان-ولتاژ در ترانزیستورهای SOI-MOSFET توسط شبکه های عصبی
عنوان مقاله: مدلسازی مشخصهی جریان-ولتاژ در ترانزیستورهای SOI-MOSFET توسط شبکه های عصبی
شناسه ملی مقاله: ISCEE10_028
منتشر شده در دهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران در سال 1386
شناسه ملی مقاله: ISCEE10_028
منتشر شده در دهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران در سال 1386
مشخصات نویسندگان مقاله:
محمد اسکندری مکوند - آزمایشگاه طراحی مدارهای مجتمع بسیار فشرده، دانشکده مهندسی برق و کام
حمید تولی
علی عباسیان
خلاصه مقاله:
محمد اسکندری مکوند - آزمایشگاه طراحی مدارهای مجتمع بسیار فشرده، دانشکده مهندسی برق و کام
حمید تولی
علی عباسیان
دراین مقاله روش مدلسازی مشخصه ی I-V برای SOI-MOSFET ها توسط شبکه عصبی ارائه می شود.این مدلسازی سریع و دقیق است و برای نرم افزارهای شبیه سازی مدارها مناسب می باشد. در این روش، دو معماری از شبکه عصبی بکار گرفته شده و با هم مقایسه خواهند شد که عبارتند از MLP): یا پرسپترون چند لایه و GRBF) یا تابع شعاع مدار تعمیم یافته. برای افزایش کارایی آموزش به شبک هی عصبی از یک شیوه ی پیمانه ای استفاده شده است. مشخصه ی جریان درین حاصل از مدل شبکه ی عصبی با نتایج تجربی مقایسه شدهاست؛ که تطبیق بسیار خوبی را نشان می دهد و خطای نسبی آن برای طیف وسیعی ازطول کانال ها، ولتاژ های درین و گیت کمتر از1/1 %است.
کلمات کلیدی: پرسپترون،تابع شعاع مدار،آموزش به شبکه، وزن سیناپسی، شیوه ی پیمانه ای و SOI-MOSFET
صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/127415/