طراحی و ساخت یک دیود Pn با نیمه هادی GaAs به روش MBE
Publish place: 4th Iranian Student Conference on Electrical Engineering
Publish Year: 1380
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 4,153
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCEE04_050
تاریخ نمایه سازی: 14 آذر 1390
Abstract:
دراین مقاله طراحی و مراحل رشد یک دیود Pn از جنس GaAs را تشریح کردها یم این دیود از طریق رشد یکلایه با ضخامت 1 میکرومتر از جنس GaAs نوع n با ناخالصی سیلیکون 6×19 17cm-3برروی زیرلایه ای از جنسGaAs نوع P با چگالی حاملها 17 10CM-3 رشد داده شده است لایه نشانی به روش MBE انجام شد و فشار مبنای محفظه رشد کمتر از 10 -10Torr و فشارکاری که غالب آن از ارسنیک است بین 110-7-10-5 بوده و مشخصه نگاری درهنگام رشد توسط سیستم RHEED و پس از رشد توسط روشهای I-V,C-V صورت گرفته است.
Keywords:
Authors
حجت اله حمیدی
پژوهشکده الکترونیک دانشگاه علم و صنعت
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :