هادی اولیا - دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه اردکان، اردکان، ایران

در این مقاله، شبیه سازی جمع کننده های مبتنی بر ترانزیستور های نوظهور MoS۲ مورد ارزیابی قرار می گیرد. از آنجاکه جمع کننده یک بلوک پایه در هر واحد محاسباتی است، بهبود عملکرد این مدار نقش بسزایی عملکرد سیستم های دیجیتال خواهد داشت. مقایسه نتایج با فناوری سیلیکون عملکرد بالا با طول کانال برابر ۱۶ نانومتری انجام می پذیرد. پارامتر های اصلی تحلیل در شبیه سازی ها، تاخیر و توان هستند بعلاوه شاخصه هایی مانند حاصلضرب توان-تاخیر و حاصلضرب انرژی-تاخیر نیز مورد ارزیابی واقع می شوند. جمع کننده های یک و چهار بیتی در پارامتر های مذکور و رنجی از ولتاژ های تغذیه بررسی شده اند. نتایج نشان می دهد که تاخیر و توان در جمع کننده های یک و چهار بیتی بطور متوسط بترتیب ۴۸ و ۳۰ درصد بهبود یافته اند

مولیبدنیوم دی سولفید (MoS۲)، ترانزیستور های MoS۲، جمع کننده، تاخیر، توان مصرفی