فائزه معصومی - دانشجوی کارشناسی، دانشکده برق و کامپیوتر، موسسه آموزش عالی آل طه، تهران
شاهین قربانی زاده شیرازی - استادیار، دانشکده برق و کامپیوتر، موسسه آموزش عالی آل طه، تهران

یکی از مهم ترین تحولات ترانزیستورهای اثرمیدان اکسید فلز نیمه هادی MOSFET نسخه سه بعدی آن، موسوم به FinFET است که در دهه ۱۹۶۰ معرفی شد. در این نوع ترانزیستورها کانال نیمه رسانا به صورت یک باله عمودی نازک توسط الکترودهای گیت محصور شده است. طی دهه های گذشته، عرض باله در FinFET ها از حدود nm ۱۵۰ به چند نانومتر کاهش یافته است. با این حال، به نظر می رسد عرض باله Wfin در سال های اخیر به دلیل محدودیت دقت لیتوگرافی، در حال ثابت شدن باشد. در این مقاله نشان می دهیم که با اقتباس از یک روش رشد-الگو، چگونه انواع مختلفی کریستال های دوبعدی تک لایه به صورت عمودی ایزوله می شوند. بر این اساس، نسبت جریان روشن/خاموش FinFET های دارای یک کانال لایه اتمی، تقریبا به ۱۰(۷) می رسد. همچنین محققان یافته اند، عرض باله ی FinFET به کمتر از nm ۱ هم می رسد که می تواند مسیر نانوالکترونیک نسل بعدی را برای یکپارچه سازی بیشتر و مصرف انرژی کمتر، روشن کند

ترانزیستورهای اثرمیدانی، FinFET، کریستال های دوبعدی تکلایه، اسپری مرطوب