مروری بر فناوری ترانزیستور اثر میدانی سیلیکون روی عایق و کاربرد آن در مدارات یکپارچه فرکانس رادیویی و موج میلی متری

این مقاله به مرور فناوری SOI پرداخته شده است. ترانزیستورهای SOI روی یک لایه ۱۰۰ نانومتری از سیلیکون ساخته شده اند و در بالای یک لایه دیاک سید سیلیکون به اسم اک سید مدفون قراردارد. این لایه اک سید دیالکتریک ترانزی ستور را فراهم می کند و بنابراین بیشتر اثرات مخرب موجود در ترانزیستورهای حجیم را از بین می برد. ساختار ترانزیستورهای SOI که بسیار شبیه به ترانزیستور حجیم هستند شرح شده است. تفاوت اصلی آنها وجود اکسید مدفون است که خصوصیات جذابی را برای SOI فراهم می کند. SOI یک موفقیت بزرگ بود، زیرا تولید تراشه را یک یا دو سال جلوتر از سیلیکون حجیم پیشرفت می دهد. لذا در این متن شرح گام به گام در مورد تحولات منتهی به توسعه فناوری SOI ارائه شده و در زمینه تکنولوژی های سیلیکون روی عایق از ساخت ویفر، عملکرد آن، شکل و آرایش هندسی افزاره های SOI و آینده آن و مقیاس پذیری ترانزیستورهای SOI، فناوری نانو و استفاده از آنها در کاربردهای ارتباط از راه دور با فرکانس بالا مروری صورت می گیرد. در سطح ترانزیستور، به لطف ساختار با پارازیتی کمتر و ویژگی های الکترواستاتیکی خوب، فرکانس های نوسان بالا و قطع در ردیف ۴۰۰ گیگاهرتز حاصل می شود. در سطح RF-IC موقعیت SOI در مدارهای اصلی RF مانند کلیدها، LNA و PA و سرانجام تاثیر زیر لایه بر فرکانس های RF تشریح می شود. SOI نامزد اصلی جانشینی برای کاربردهای موج میلی متری با عملکرد بالا و نسل پنجم و همچنین برای تجهیزات اینترنتی کم مصرف RF معرفی شده است

Keywords:

SOIFET , Radio Frequency , Low-Loss Substrate , Trap-Rich , Substrate Non Linearity