یک تقویت کننده دو طبقه کم نویز بسیارباند پهن با استفاده از تکنولوژی mµ ۲.۰

Publish Year: 1400
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 214

This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

NREAS03_070

تاریخ نمایه سازی: 16 آبان 1400

Abstract:

در این مقاله، یک تقویت کننده کم نویز بسیار باند پهن در محدوده فرکانسی ۱ تا ۶ گیگاهرتز ارائه شده است. عدد نویز آن در محدوده فرکانسی ۱ تا ۶ گیگا هرتز کم تر از ۴ و بهره حدودdB ۱۰ میباشد. برای داشتن تطبیق امپدانس ورودی و خروجی به ترتیب از ساختارهای گیت مشترک ودرین مشترک به عنوان تطبیق فعال استفاده شده است. تطبیق امپدانس ورودی و خروجی مدار در این محدوده، کم تر از dB ۱۰- می باشد. این مدار با استفاده از تکنولوژی HEMT ۲.۰ میکرومتر شبیه سازی شده است.

Keywords:

تقویت کننده کم نویز , بسیار باند پهن , تطبیق فعال , HEMT

Authors

زینب یاراحمدی

دانشجوی مقطع کارشناسی ارشد گروه برق، موسسه آموزش عالی آفرینش علم گستر، بروجرد، ایران

امین الهیاری

عضو هیات علمی گروه مهندسی برق، موسسه آموزش عالی آفرینش علم گستر، بروجرد، ایران

جواد ابراهیمی

گروه مهندسی برق، موسسه آموزش عالی آفرینش علم گستر، بروجرد، ایران