سارا شوریان - دانشکده مهندسی هسته ای، دانشگاه شهید بهشتی ، تهران، ایران
حمید جعفری - استادیار، دانشکده مهندسی هسته ای، دانشگاه شهید بهشتی، تهران، ایران
سید امیرحسین فقهی - استاد، دانشکده مهندسی هسته ای، دانشگاه شهید بهشتی، تهران، ایران
غلامرضا اصلانی - مرکز تحقیقات کشاورزی و پزشکی هسته ای کرج، ایران

حضور پرتوهای یونیزان در محیط فضایی از جمله ذرات بدام افتاده، ذرات خورشیدی و پرتوهای کیهانی، می توانند تهدیدی جدی برای عملکرد صحیح قطعات الکترونیکی بکار رفته در ماهواره ها و فضاپیماها باشند. در این کار اثرات آسیب جابجایی در بوجود آمدن جریان نشتی در یک دیود سیلیکونی ، به عنوان آرایه اصلی بسیاری از قطعات الکترونیکی، در معرض تابش پروتون های فضایی مورد بررسی قرار گرفته است. به این منظور از کد مونت کارلوی GEANT۴ برای محاسبه اتلاف انرژی غیریونیزان در قطعه استفاده شده است. شبیه سازی پارامترهای الکتریکی این قطعه و بررسی تغییرات آن ها در معرض پروتون های فضایی نیز توسط نرم افزار SILVACO انجام شده است. نتایج نشان می دهد که جریان نشتی با افزایش شارش پروتون های فرودی تا p/cm۲ ۱۰۱۲× ۱/۲ در حدود ۸۵/۱ برابر مقدار آن قبل از تابش افزایش پیدا کرده و به حدود nA/µm ۲/۹۶ می رسد. به منظور اندازه گیری و اعتبارسنجی رفتار جریان نشتی این نوع قطعات از پرتودهی فوتودیودهای نوع BPW۳۴ با پروتون های MeV ۳۰ استفاده شده است.

جریان نشتی, دیود سیلیکونی, SILVACO, تابش پروتونی, GEANT۴, آسیب جابجایی