محمد مهدی پژمان - کارشناسی ارشد، دانشگاه تحصیلات تکمیلی صنعتی کرمان، گروه برق و کامپیوتر، کرمان، ایران
عصمت راشدی - استادیار، دانشگاه تحصیلات تکمیلی صنعتی کرمان، گروه برق و کامپیوتر، کرمان، ایران
احمد حکیمی - دانشیار، دانشگاه شهید باهنر کرمان، گروه مهندسی برق، کرمان، ایران

پیشرفت سریع تکنولوژی و به دنبال آن کاهش بعد ترانزیستورهای ماسفت باعث شده است که این ترانزیستور ها رفتار متفاوتی در مدارات الکترونیکی از خود نشان دهند. در دهه ی اخیر، مدل های زیادی برای تخمین رفتار ترانزیستور های ماسفت کانال کوتاه ارائه شده است. در این مقاله یک مدل جدید برای پیش بینی رفتار و عملکرد ترانزیستورهای ماسفت کانال کوتاه پیشنهاد شده است. مدل پیشنهادی با ایجاد تغییراتی روی مدل nth-power law MOS ، دقت این مدل را افزایش و خطای آن را کاهش داده است. پارامترهای مدل پیشنهادی نسبت به دو مشخصه ی واقعی  BSIM۳ در تکنولوژی۱۳۰ نانومتر و TSMC_CM۰۱۸RF در تکنولوژی۱۸۰ نانومتر، که امروزه کاربرد بسیاری در مدارات الکترونیکی مخصوصا مدارات فرکانس بالا دارند، محاسبه شده است. به منظور افزایش دقت مدل پیشنهادی، پارامترهای آن، توسط سه الگوریتم وراثتی، بهینه سازی جمعیت ذرات و جستجوی گرانشی محاسبه شده است. نتایج بدست آمده نشان می دهد که برای مدل ارائه شده، الگوریتم جستجوی گرانشی نتایج بهتری به دست داده است.

الگوریتم وراثتی, الگوریتم بهینه سازی جمعیت ذرات, الگوریتم جستجوی گرانشی, ترانزیستور ماسفت کانال کوتاه, مدارات فرکانس بالا