اکبر اسحاقی - دانشکده مهندسی مواد و متالورژی، دانشگاه صنعتی مالک اشتر
اکبر داودی - دانشکده مهندسی مواد و متالورژی، دانشگاه سمنان
محمد تجلی - دانشکده مهندسی مواد و متالورژی، دانشگاه سمنان
امید میرزایی - دانشکده مهندسی مواد و متالورژی، دانشگاه سمنان

در این تحقیق لایه نازک نانو ساختار اکسید روی دارای آلایش آلومینیوم و تیتانیم (ATZO) به روش سل ژل تهیه گردید. آنالیز فازی توسط تکنیک پراش پرتو ایکس (XRD)، مشاهدات ریز ساختاری و آنالیز عنصری توسط میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (FE-SEM) و ابزار طیف سنج تفکیک انرژی (EDX) انجام شده و زبری سطح با استفاده از میکروسکوپ نیروی اتمی (AFM) مورد بررسی قرار گرفت. نتایج XRD نشان داد که حضور اتمسفر احیایی باعث بهبود بلورینگی لایه نازک ATZO می گردد. همچنین مشخص شد که استفاده از اتمسفر احیایی موجب افزایش متوسط عبور نور از % ۳۹/۸۶ به % ۴۱/۸۸ و کاهش چشمگیر میزان مقاومت ویژه الکتریکی ازΩcm  ۱۰۶ × ۱۳ تا Ωcm  ۱۰۶ ×  ۰۰۶/۰ گردیده است. اندازه دانه لایه های نازک مختلف در محدوده nm ۲۳ الی nm ۲۹ بوده و میزان زبری سطح آنها در حدود nm ۸ اندازه گیری شد. با توجه به میزان شفافیت و مقدار مقاومت ویژه، ATZO دارای قابلیت کاربرد در ترانزیستور های لایه نازک است.

لایه نازک, اکسید روی آلاییده شده, خواص الکتریکی, خواص نوری