فریبرز اتابکی - دانشکده شیمی، دانشگاه صنعتی مالک اشتر
مهران عربی - دانشکده شیمی، دانشگاه صنعتی مالک اشتر
غلامعلی کوهمره - دانشکده شیمی، دانشگاه اصفهان

در این تحقیق به وسیله دستگاه پوشش دهی چرخشی روی زیرلایه پلی (متیل متاکریلات)، پلیمر رسانای پلی (۳،۴- اتیلن دی اکسی تیوفن) از مونومر ۴،۳- اتیلن دی اکسی تیوفن به روش پلیمری شدن درجا، سنتز شد. در ادامه اثر پارامترهای دمای پخت، زمان پخت و سرعت پوشش دهی، بر ویژگی های ساختاری، نوری، الکتریکی و مکانیکی این پوشش موردبررسی قرار گرفت. برای این منظور از طیف سنجی تبدیل فوریه-مادون قرمز (FT-IR)، طیف سنجی ماوراءبنفش-مرئی (UV-Vis)، اندازه گیری مقاومت الکتریکی و آزمون تپ استفاده شد. نتایج نشان داد که یک سطح با مقاومت الکتریکی ۳۸/۶۱ کیلو اهم، با شفافیت خوب و چسبندگی مطلوب برای کاربردهای ضد الکتریسیته ساکن به دست آمده است. همچنین  این داده ها نشان می دهد مقاومت این پوشش های پلیمری از مقاومت ۱۰۸ اهم کمتر است. از آنجا که کاهش مقاومت الکتریکی پلیمر تا ۱۰۸ اهم  و کمتر از این مقدار می تواند تجمع الکتریسیته ساکن در سطح پلیمر را کاهش دهد،  بنابراین پوشش پلیمری ایجاد شده روی زیر لایه پلی(متیل متاکریلات)، توانایی کاهش تجمع الکتریسیته ساکن را دارد.

پوشش شفاف, پوشش ضد الکتریسیته ساکن, پلی (متیل متاکریلات), پلی (۴, ۳- اتیلن دی اکسی تیوفن)