مقاله پژوهشی: ویژگی های ساختاری، الکترونی و اپتیکی انبوهه و تک لایه دی کلکوژنیدهای آهن FeX۲ (X=S, Se, Te) با استفاده از نظریه تابعی چگالی

Publish Year: 1400
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 204

This Paper With 23 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

JR_JAPAZ-11-4_002

تاریخ نمایه سازی: 26 دی 1400

Abstract:

در این مطالعه ویژگی­های ساختاری، الکترونی و اپتیکی دی کلکوژنیدهای آهن FeX۲ (X=S, Se, Te) در حالت انبوهه و تک لایه با استفاده از روش امواج تخت بهساخته خطی با پتانسیل کامل (FP-LAPW) در چارچوب نظریه تابعی چگالی (DFT) و با استفاده از کد محاسباتی Wien۲k مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج به دست آمده نشان می­دهند که ترکیبات FeX۲   در حالت انبوهه، نیمه­رسانای غیرمغناطیسی با شکاف مستقیم در نقطه گاما هستند. در حالی که این ترکیبات در حالت تک لایه، فرومغناطیس بوده و ویژگی فلزی از خود نشان می­دهند. ساختار نواری و شکاف انرژی انبوهه FeX۲ با تقریب­های GGA-PBE و GGA-mbj محاسبه و مورد مقایسه قرار گرفته­اند. نتایج حاصله نشان می­دهد که تابع بک جانسون مقدار بهتری برای شکاف انرژی پیشنهاد می­دهد. تمامی طیف­های اپتیکی مانند قسمت حقیقی و موهومی تابع دی­الکتریک، ضریب جذب، ضریب بازتاب، ضریب شکست، ضریب خاموشی، رسانندگی و طیف اتلاف انرژی الکترون در هر دو حالت انبوهه و تک لایه محاسبه و نتایج گزارش و بررسی شده است. با توجه به نتایج بدست آمده در محدوده انرژی فرابنفش، ضریب جذب و ضریب بازتاب تمامی ترکیبات FeX۲  در حالت انبوهه به مراتب بیشتر از حالات تک لایه است و با توجه به مقدار کمابیش بزرگ این ضرایب، استفاده از ساختارهای انبوهه به منظور محافظ موج الکترومغناطیس فرابنفش در این محدوده انرژی مفیدتر است. در حالی که در محدوده نور مرئی، با توجه به یکسان بودن ضریب جذب و کمتر بودن ضریب بازتاب حالت تک لایه نسبت به حالت انبوهه، استفاده از ساختارهای تک لایه به منظور لایه­های جاذب در سلول­های خورشیدی دارای بازدهی بیشتری می­باشد. ضریب جذب بالا و پهن در ناحیه نورمرئی و فرابنفش­، این ترکیبات را گزینه­های مناسبی برای استفاده در ابزار فوتوالکتریک و سلول­های خورشیدی می­کند. لازم به ذکر است، از آنجایی که ترکیبات تک لایه دارای ویژگی مغناطیسی می­باشند، تمامی محاسبات حالت تک لایه در حالت اسپین قطبیده انجام شده است.

Authors

راضیه بیرانوند

استادیار، گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه آیت ا... بروجردی، بروجرد، ایران

وحید مهرابی

دانش آموخته کارشناسی ارشد، گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه آیت ا... بروجردی، بروجرد، ایران

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • Novoselov K. S., Geim A. K., Morozov S. V., Jianng ...
  • Kim K. K., Hsu A., Jia X., Kim S. M., ...
  • [۳]Wang Q. H., Kalantar-Zadeh K., Kis A., Coleman J. N., ...
  • Li L., Chen Z., Hu Y., Wang X., Zhang T., ...
  • Vittal R., and Ho K. C., Zinc oxide based dye-sensitized ...
  • Tan Ch., Sun D., Xu D., Tian X., Huang Y., ...
  • Dadsetani M., Beiranvand R., Optical properties of alkaline earth metal ...
  • Dadsetani M., Beiranvand R., The effect of oxygen impurity on ...
  • Kwon H. J., Thanikaikarasan S., Mahalingam T., Park K. H., ...
  • Puthussery J., Seefeld S., Berry N., Gibbs M., and Law ...
  • Tian X.H., and Zhang J.M., The structural, elastic, electronic and ...
  • Lan M., Xiang G., Nie Y., Yang D., Zhang X., ...
  • Gokoglu G., and Ethem A., Half metallicity and pressure-induced electronic ...
  • Li Y., Shi J., Mi Y., Sui X., Xu H., ...
  • Ataca C., Sahin H., and Ciraci S., Stable, single-layer MX۲ ...
  • [۱۷]Ghosh A., and Thangavel R., Electronic structure and optical properties ...
  • [۱۸]Bither T. A., Bouchard R. J., Cloud W. H., Donohue ...
  • Lan M., Xiang G., Nie Y., Yang D., Zhang X., ...
  • Huang S., He Q., Chen W., Qiao Q., Zai J., ...
  • Shi Y., Li H., Li L.J., Recent advances incontrolled synthesis ...
  • Bosi M., Growth and synthesis of mono and few-layers transition ...
  • Manzeli S., Ovchinnikov D., Pasquier D., Yazyev O.V., Kis A., ...
  • Blaha P., Schwarz K., Madsen G.K.H., Kvasnicka D., Luitz J., ...
  • [۲۶]Tran F., Blaha P., Accurate band gaps ofsemiconductors and insulators ...
  • Ataca C., Sahin H., and Ciraci S., Stable, single-layerMX۲ transition-metal ...
  • Lan M., Xiang G., Nie Y., Yang D., and Zhang ...
  • Gokoglu G., andAkturk E., Theoretical investigation of lithium adsorption, diffusion ...
  • [۳۰]Tyuterev V.G., Vast N, Murnaghan’s equation of state for the ...
  • Zhao C., Wu B., Chen J., Li Y., and Chen ...
  • Ganga B.G., Ganeshraj C., Gopal Krishn A., and Santhosh P.N., ...
  • Mahalingam T., Thanikaikarasan S., Chandramohan R., Raja M., Sanjeeviraja C. ...
  • Ennaoui A., Fiechter S., Pettenkofer C., Alonso-Vante N., Buker K., ...
  • Schlegel A., and Wachter P, Optical properties, phonons andelectronic structure ...
  • Binxia Y., Weiling L., and Shan-tung T., One-stepsynthesis of cubic ...
  • Ambrosch-Draxl C., and Sofo J. O., Linear opticalproperties of solids ...
  • نمایش کامل مراجع