طراحی یک تقویت کننده پهن باند کم نویز با تطبیق مناسب امپدانس خروجی و ورودی در تکنولوژی ۰,۱۸ میکرومتر

هدف از انجام این پژوهش، تحلیل و بهینه سازی تقویت کننده ی کم نویز CMOS پهن باند می باشد. چالش های جدیدر پیاده سازی اجزای گیرنده فراپهن باند وجود دارد که یکی از مهمترین آنها طراحی بلوک تقویت کننده کم نویز فراپهن-باند است که بلوکی کلیدی در بسیاری از گیرنده های رادیویی با کارایی بالاست زیرا عملکرد این قسمت به شدت حساسیتو گزینندگی سیستم را تحت تاثیر قرار میدهد و معمولا اولین بلوک فعال گیرنده بعد از آنتن است. تقویت کننده کم نویزسیگنال های ورودی را به گونه ای تقویت می کند که نویز تولید شده به وسیله بلوک های بعدی کمترین تاثیر را بر روی نسبتسیگنال به نویز (SNR) سیستم داشته باشد. بنابراین باید دارای پهنای باند بالا، بهره بالا و هموار، نویز فیگر پایین، تطبیق امپدانس مناسب و مصرف توان پایین باشد. با توجه به گسترش روزافزون سیستم های فراپهن باند، بهینه سازی سیستم هایفوق امری ضروری می باشد. هدف ما در این مقاله طراحی تقویت کننده کم نویزی است که دارای عملکرد مطلوب بوده ومشخصات مد نظر شامل تطبیق امپدانس ورودی مناسب، نویز کم، بهره هموار، و مصرف توان پایین باشد. شبیه سازی هایلازم با استفاده از نرم افزار Hspice در پروسه استاندارد ۰.۱۸ میکرومتر CMOS انجام گرفته و با نتایج کارهای قبلی مقایسه شده است.

Keywords:

تقویت کننده کم نویز , CMOS , بهینه سازی