CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)

انواع ترانزیستور های اثر میدانی و تفاوت آنها با ترانزیستور های دو قطبی

عنوان مقاله: انواع ترانزیستور های اثر میدانی و تفاوت آنها با ترانزیستور های دو قطبی
شناسه ملی مقاله: IEAMCONF01_013
منتشر شده در اولین کنفرانس برق، مهندسی هوافضا، مکانیک و علوم مهندسی در سال 1400
مشخصات نویسندگان مقاله:

مهران حسین زاده دیزج - دانشجوی دکتری برق-الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی تهران مرکز

خلاصه مقاله:
ترانزیستور یکی از مهمترین قطعات الکترونیکی و یکی از ادوات حالت جامد است که از مواد نیمه رسانایی مانند سیلیسیم و ژرمانیم ساخته می شود. یک ترانزیستور در ساختار خود دارای پیوندهای نوع N ونوع P می باشد.ترانزیستورهای جدید به دو دسته کلی تقسیم می شوند: ترانزیستورهای اتصال دوقطبی (BJT) و ترانزیستورهای اثر میدانی (FET). اعمال جریان در BJTها و ولتاژ در FETها بین ورودی و ترمینال مشترک، میزان رسانایی بین خروجی و ترمینال مشترک را افزایش می دهد، از اینرو سبب کنترل جریان بین آنها می شود. مشخصات ترانزیستورها به نوع آن بستگی دارد.در مدارهای آنالوگ، ترانزیستورها در تقویت کننده ها استفاده می شوند، (تقویت کننده های جریان مستقیم، تقویت کننده های صدا، تقویت کننده های امواج رادیویی) و منابع تغذیه تنظیم شده خطی. همچنین از ترانزیستورها در مدارات دیجیتال بعنوان یک سوئیچ الکترونیکی استفاده می شود، اما به ندرت به صورت یک قطعه جدا، بلکه به صورت بهم پیوسته در مدارات مجتمع یکپارچه بکار می روند. مداراهای دیجیتال شامل گیت های منطقی، حافظه با دسترسی تصادفی (RAM)، ریزپردازنده ها و پردازشگرهای سیگنال دیجیتال (DSPs) هستند.

کلمات کلیدی:
ترانزیستور، دوقطبی، اثرمیدانی، آنالوگ، دیجیتال

صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/1405694/