تاثیر قرار دادن لایه نازک سیلیکون در زیر غشای دی الکتریک بر روی عملکرد یک میکروهیتر
عنوان مقاله: تاثیر قرار دادن لایه نازک سیلیکون در زیر غشای دی الکتریک بر روی عملکرد یک میکروهیتر
شناسه ملی مقاله: JR_MAIA-9-3_008
منتشر شده در در سال 1394
شناسه ملی مقاله: JR_MAIA-9-3_008
منتشر شده در در سال 1394
مشخصات نویسندگان مقاله:
فاطمه سمایی فر - محقق/دانشگاه صنعتی مالک اشتر
احمد عفیفی - دانشیار/دانشگاه صنعتی مالک اشتر
حسن عبداللهی - استادیار/دانشگاه هوایی شهید ستاری
خلاصه مقاله:
فاطمه سمایی فر - محقق/دانشگاه صنعتی مالک اشتر
احمد عفیفی - دانشیار/دانشگاه صنعتی مالک اشتر
حسن عبداللهی - استادیار/دانشگاه هوایی شهید ستاری
با توسعه ریزفناوری میکروماشینکاری و میکروالکترونیک، میکروهیترها کاربردهای زیادی در میکروحسگرها پیدا کردهاند. یکنواختی توزیع دما یکی از عوامل تاثیرگذار در افزایش حساسیت و دقت یک حسگر گازی است که در آن هیتر استفاده شده است. در این مقاله روش قرار دادن لایه نازک سیلیکون در زیر غشای دیالکتریک به منظور بهبود یکنواختی گرما در میکروهیتر، مورد بررسی قرار گرفته است. دو میکروهیتر پلاتینی با ساختار غشای معلق بر روی بستر سیلیکون و بر پایه فناوری میکروماشینکاری حجمی طراحی، ساخته و مشخصهیابی شدهاند. در میکروهیتر اول از لایه نازک سیلیکون به ضخامت µm۱۰ در زیر غشای دیالکتریک استفاده شده است در حالیکه میکروهیتر دوم بدون این لایه ساخته شده است. نتایج شبیهسازی نشان میدهد که با قرار دادن لایه نازک سیلیکون، یکنواختی توزیع دما و استحکام مکانیکی بهبود مییابد درحالیکه توان مصرفی و پاسخ زمانی افزایش مییابد. همچنین نتایج تجربی به نتایج حاصل از شبیهسازی بسیار نزدیک است و نشان میدهد که میکروهیتر با لایه نازک سیلیکون به ضخامت µm۱۰ برای رسیدن به دمای oC۵۰۰ دارای توان مصرفی و پاسخ زمانی mW۵۰ و ms۲۳/۴ بهترتیب میباشد ولی میکروهیتر ساخته شده بدون این لایه، برای رسیدن به این دما دارای توان مصرفی و پاسخ زمانی mW۱۳ و ms۴/۲ است.
کلمات کلیدی: توزیع دمای یکنواخت, غشای معلق شده, میکروهیتر, میکروحسگر, MEMS
صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/1405960/