حسن عبداللهی - مدیر پژوهش دانشکده برق دانشگاه هوائی شهید ستاری
حسن حاج قاسم - عضو هیات علمی دانشگاه تهران

 این مقاله به بررسی و تحلیل رفتاری لایه برداری سطحی ناهمسان­گرد سیلیکون (۱۰۰) در هیدروکسید آمونیم­ تترامتیل(TMAH) پرداخته است. فرآیند حکاکی در محلول TMAH با غلظت­های مختلف ۵%، ۱۰%، ۱۵% و ۲۵% و در دماهای مختلف oC ۷۰، oC ۸۰ و oC۹۰ انجام شد. نتایج نشان می­دهد که نرخ زدایش با افزایش دما، افزایش می­یابد ولی این نرخ با افزایش غلظت TMAH در غلظت­های بیشتر از ۱۰% کاهش می­یابد. بیشترین نرخ زدایش برابر با µm/h۶۲ در غلظت­۱۰% و دمای oC ۹۰ است. تصاویر SEM نشان می­دهد که در سطح سیلیکون برآمدگی­های شبیه به تپه­های هرمی شکل کوچک ظاهر می­شود که تعداد، شکل و نحوه توزیع آنها در روی سطح سیلیکون کاملا تصادفی است. تعداد ناهمواری ­با افزایش غلظت TMAH کاهش می­یابد و سطح سیلیکون حکاکی شده در TMAH  با غلظت­های بالا، صاف­تر می­باشد. درضمن بیشترین مقدار نرخ زدایش در صفحه <۱۰۰> نسبت به صفحه <۱۱۱> برای TMAH با غلظت­۱۰% به دست آمده است که مقدار آن ۶/۱۰ است. زدایش سیلیکون با TMAH در این غلظت کمترین زیربریدگی را دارد.

میکروماشین کاری, لایه برداری سطحی ناهمسان گرد سیلیکون, ناهمواری سطح سیلیکون, TMAH