CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)

بررسی کلی ترانزیستور تک الکترونی

عنوان مقاله: بررسی کلی ترانزیستور تک الکترونی
شناسه ملی مقاله: EMAA20_016
منتشر شده در بیستمین کنفرانس بین المللی پژوهش های نوین در علوم و فناوری در سال 1400
مشخصات نویسندگان مقاله:

مصطفی خشنود - دکترای برق – الکترونیک ، مدرس دانشگاه شهید چمران رشت
علی نعمتی ام آباد - دانشجوی کارشناسی دانشگاه شهید چمران رشت

خلاصه مقاله:
ترانزیستورهای تک الکترونی مانند یک جعبه الکترون هستند که دارای دو اتصال جداگانه برای ورود و خروج الکترون می باشند بزرگترین مزیت ترانزیستورهای تک الکترونی این است که درابعاد بسیار کوچیک (نانومتر) قابل ساخت است در سال های اخیرکارکرد ترانزیستورهای تک الکترونی فقط در دمای بسیار پایین (چندصدمیلیون کلوین) امکان پذیر بود ولی به تازگی آزمایشات نشان داده است که امکان ساخت این ترانزیستورها به صورتی که در دمای اتاق کار کند وجود دارد و این امر باعث پیشرفت چشمگیری در الکترونیک خواهد داشت.در این مقاله اصول ترانزیستور تک الکترونی و هم چنین پیشرفت های اخیر در زمینه کارکرد آن در دمای اتاق و جزیره های مختلف برسی میکنیم بعداز آن پدیده تونل زنی و شکاف انرژی ، که اصول کارکرد ترانزیستور تک الکترونی را تشکیل می دهد برسی می کنیم .

کلمات کلیدی:
ترانزیستور تک الکترونی ، تونل زنی ، شکاف انرژی

صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/1412279/